[发明专利]一种光波导交叉单元在审
申请号: | 201610573030.0 | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN107632340A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 姜南;马峰超;吴兴松 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/125 | 分类号: | G02B6/125;G02B6/136 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所44256 | 代理人: | 刘大弯,沈荣彬 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波导 交叉 单元 | ||
技术领域
本发明涉及光波导互连设计技术领域,尤其涉及一种光波导交叉单元。
背景技术
随着计算机系统、通信系统数据传输速率、频率的不断提升,传统电互连面临其发展瓶颈,主要问题有:(1)散射、反射、衰减以及信号强度随频率波动,均能使高速信号失真,导致带宽受限;(2)随着布线密度增加,线路信号很容易受到来自单板和机框的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。
光波导互连是实现Tbit/s量级高速互连的最优解决方案,其技术实现通常是将光波导集成到PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)中制成光电印制板(Optical-Electronic Printed Circuit Board,OE-PCB)。光波导互连取代电互连,具有明显的优势,能轻易实现并保持良好的信号完整性。光波导互连的优点包括:(1)光子不带电荷,不存在电子之间的库仑力作用,具有良好的空间相容性,因此信号通道上无电磁干扰问题,大幅减小信号串扰,实现更高的并行互连密度,减小器件和设备的尺寸;(2)系统响应速率快,单通道传输速率可达Tbps量级,而且光子的单元存储密度高,其存储容量在量级。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明提供一种光波导交叉单元,旨在解决传统电互连方式中存在的上述问题,以提高互连密度,增加传输通道,减小器件和设备的结构尺寸。
为实现上述目的,本发明提供一种光波导交叉单元,所述光波导交叉单元从上至下依次由上金属层、半固化片、上包裹层、光波导层、下包裹层、下金属层压合而成,其中,所述上金属层由相隔指定距离的若干个金属片或金属线构成,所述下金属层由相隔指定距离的若干个金属片或金属线构成,所述光波导层包括在同一平面上相互交叉的若干个光波导。
优选地,所述光波导层中相互交叉的光波导之间的夹角为大于或等于70度且小于或等于180度。
优选地,所述上金属层及所述下金属层中的金属片或金属线的材料为铜箔。
优选地,所述光波导层中,光波导交叉走线通过蚀刻而成。
优选地,所述半固化片为FR-4半固化片。
优选地,所述上包裹层、所述下包裹层、所述光波导层均由聚合物材质构成,所述上包裹层的折射率与所述下包裹层的折射率相同,所述光波导层的折射率大于所述上包裹层的折射率。
优选地,所述光波导交叉单元为光电印制板结构。
本发明提出的光波导交叉单元,在同一光波导层中交叉走线不会产生互相干扰,也不会产生短路,且光子不带电荷,也就不存在电子之间的库仑力的作用,具有良好的空间相容性,信号通道上无电磁干扰的问题,能够大幅提升光互连密度,增加光传输通道,同时实现器件和设备的小型化。
附图说明
图1为本发明光波导交叉单元第一实施例的局部剖面结构示意图;
图2为本发明光波导交叉单元中切片局部放大俯视结构示意图;
图3为本发明光波导交叉单元第二实施例中切片全局俯视结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供一种光波导交叉单元,如图1所示,所述光波导交叉单元从上至下依次由上金属层1、半固化片2、上包裹层3、光波导层4、下包裹层5、下金属层6压合而成,其中,所述上金属层1由相隔指定距离的若干个金属片或金属线构成,所述下金属层6由相隔指定距离的若干个金属片或金属线构成,所述光波导层4包括在同一平面上相互交叉的若干个光波导。本实施例中的光波导由光波导芯7组成。
进一步地,所述上金属层1及所述下金属层6中的金属片或金属线的材料为铜箔。所述上金属层1和所述下金属层6的主要作用是承载电源通流及电信号传输。
进一步地,所述光波导层4中,光波导交叉走线通过蚀刻而成。
进一步地,所述半固化片2为FR-4半固化片。FR-4半固化片是一种环氧树脂和玻璃纤维由A态(液态)经加工变成B态(半固态)后的晶粒状半固化片2。
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