[发明专利]一种多孔/量子点复合结构红外探测器单元及制备方法有效
申请号: | 201610567772.2 | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN106115603B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 冯双龙;魏兴战;申钧;杨俊;陆仕荣;周大华;史浩飞;杜春雷 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00;G01J5/02 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所11308 | 代理人: | 黎昌莉 |
地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 量子 复合 结构 红外探测器 单元 制备 方法 | ||
1.一种多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,多孔/量子点结构红外探测器结构包括基底;所述基底上设置周期性红外探测基元阵列,单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和生长于衬底上的多孔结构薄膜,所述多孔结构薄膜的孔隙内部为红外敏感材料量子点;
多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,包括以下步骤:
1)在衬底上生长多孔结构薄膜;
2)抛光多孔结构薄膜,确保薄膜结构的平整度;
3)制备尺寸可控的红外敏感材料量子点;
4)将红外敏感材料量子点旋涂到多孔结构薄膜的孔隙中,烘干;
5)进行阵列化加工,获得周期性红外探测基元。
2.如权利要求1所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,所述基底内设置ROIC集成电路。
3.如权利要求1或2所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,所述衬底为氮化硅或SOI。
4.如权利要求1或2所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,所述多孔结构薄膜的材料选自:DLC、金刚石、石墨烯、非晶碳或多孔硅。
5.如权利要求1或2所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,多孔结构薄膜孔径尺寸为2-50纳米,薄膜厚度50-200纳米。
6.如权利要求1或2所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,所述红外敏感材料量子点选自PbS、PbSe、石墨烯、InP、CuInS、CuInSeS;量子点尺寸在3-20纳米范围。
7.如权利要求1所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,步骤1)所述多孔结构薄膜采用化学气相沉积技术制备。
8.如权利要求1或7所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,步骤2)采用氧等离子刻蚀技术进行抛光。
9.如权利要求1或7所述多孔/量子点结构红外探测器的制备方法,其特征在于,采用化学合成技术制备红外敏感材料量子点。
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