[发明专利]二极管逆向漏电流的泄放电路在审
| 申请号: | 201610543086.1 | 申请日: | 2016-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN107579651A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
| 发明(设计)人: | 洪宗良;姚宇桐;朱炳勋 | 申请(专利权)人: | 亚荣源科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518115 广东省深圳市龙岗区横岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二极管 逆向 漏电 电路 | ||
技术领域
本发明是有关于一种二极管逆向漏电流的泄放电路,且特别是有关于一种可降低损耗的电路。
背景技术
在DC/DC转换器设计中,输入端会遇到「逆向反接保护」的规格要求,这时会用一个主动开关如BJT、MOSFET甚至是继电器进行输入断开的保护动作,为达成此一保护功能所增加的成本相当高。因此在较经济的设计前提下,通常会使用萧特基二极管达成,萧特基二极管具有低顺偏电压、使用简单以及响应迅速的优点,广泛用于输入端逆偏保护,其接法如图1所示,图1使用D1与D2两个二极管在输入反接电压至A、B点时,可完全将输出端C、D点断开隔离,达成保护功能。
但图1做法有一缺点,由于萧特基二极管存在一定的逆向漏电流IR,通常是数十~数百uA,因此当CD端电压存在时,若移除输入电压,漏电流IR会持续对AB端进行充电而保持高电压,这在某些应用场合是不允许的。
为解决以上问题,可在AB端加入泄放电阻(请参考图2),将IR漏电流形成一路径,此时AB端电压为VAB=IR*R1,箝制AB电压。但在某些应用场合,需要将AB端电压限制于非常低的电压准位(低于1~2V),因此必须使用低电阻值R1,例如数KΩ~10KΩ以箝制AB端电压。但在电路正常运作时,AB端会跨一高压直流,R1的持续连接AB端,根据p=V2/R,将会使得R1损耗极大,可达1W以上,造成无谓功率损失。
发明内容
为达上述或其他目的,本发明提出一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其包括:一输入正极端、一输入负极端、一输出正极端、一输出负极端、一第一二极管及一电流源装置。该输出正极 端与该输入正极端耦接,该输出负极端与该输入负极端耦接。该第一二极管的阳极端耦接于该输入正极端,而阴极端耦接于该输出正极端。该电流源装置的一端耦接于该第一二极管的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。其中,当输入电压断开时,由于该电流源装置的电流值稍大于二极管逆向漏电流IR,便可将电流源装置两端电压拉至足够低,可达1V以下。当输入电压正常运作于高压时,该电流源装置仍然动作,但由于P=VI,因此损耗与输入电压成正比,而达到低损耗的目的。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例并配合所附图式做详细说明如下。
附图说明
图1为习知技术的电路示意图1。
图2为习知技术的电路示意图2。
图3为本发明第一较佳实施例的电路示意图。
图4为本发明第二较佳实施例的电路示意图。
图5为本发明第三较佳实施例的电路示意图。
图6为本发明第四较佳实施例的电路示意图。
图7为本发明第五较佳实施例的电路示意图。
图8为本发明第六较佳实施例的电路示意图1。
图9为本发明第六较佳实施例的电路示意图2。
图10为本发明第六较佳实施例的电路示意图3。
图11为本发明第七较佳实施例的电路示意图。
图12为本发明第八较佳实施例的电路示意图。
具体实施方式
请参阅图3所示,其为本发明第一较佳实施例的电路示意图。本发明提出一种二极管逆向漏电流的泄放电路,其包括:一输入 正极端(10)、一输入负极端(11)、一输出正极端(12)、一输出负极端(13)、一第一二极管(20)及一电流源装置(30)。该输出正极端(12)与该输入正极端耦接(10),该输出负极端(13)与该输入负极端(11)耦接。该第一二极管(20)的阳极端耦接于该输入正极端(10),而阴极端耦接于该输出正极端(12)。该电流源装置的一端耦接于该第一二极管(20)的阳极端,而另一端耦接于该输入负极端与该输出负极端之间。其中,该电流源装置(30)可为一定电流二极管或其他等效组件,并不依此为限制。
本实施例在输入正极端(10)及该输入负极端(11)之间设置该电流源装置(30),当输入电压断开时,由于该电流源装置的电流值可大于流通过该第一二极管(20)逆向漏电流的电流值,以至于该电流源装置(30)两端的电压差将可降低约1V以下。当输入电压正常运作供电时,该电流源装置(30)仍然继续动作,由于P=VI,使得损耗将与输入电压成正比,因此当电压差V值在相当低状况下,其与习知以电阻的损耗差异甚大。
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