[发明专利]一种工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备

权利要求书

1.一种工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，包括连续出料装置（4）、催化剂布料装置（5）、炉体（18）、隔离密封罩（21）和旋转炉底（25），其特征在于，所述的隔离密封罩（21）和旋转炉底（25）形成密封生长空间，所述的隔离密封罩设置在炉体（18）内，所述的隔离密封罩（21）顶端设置有炉盖（20），所述的炉体（18）、炉盖（20）、隔离密封罩（21）之间设置有隔热保温层（19），所述的旋转炉底（25）设置在隔离密封罩（21）的下端，所述旋转炉底（25）的上端设置有位于隔离密封罩（21）内的碳纳米管生长基底（24），且旋转炉底（25）与碳纳米管生长基底（24）之间也设置有隔热保温层（19），所述碳纳米管生长基底（24）的顶端设置有多层生长基底（23），所述的催化剂布料装置（5）设置在多层生长基底（23）下方，且催化剂布料装置（5）的一端伸出炉体（18），所述的连续出料装置（4）设置在多层生长基底（23）的上方，且连续出料装置（4）的一端伸出炉体（18）；所述的隔离密封罩（21）内外壁之间设置有四个隔墙（9），四个隔墙（9）将炉腔分隔成四个连通的区室，四个区室分别为催化剂布料预热室（6）、催化剂还原活化室（7）、CNTS均热生长室（10）和出料过渡室（11）。

2.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的炉体（18）固定安装在底座（17）上，所述的底座（17）放置于地面或凹形基坑（16）中。

3.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的旋转炉底（25）位于底座（17）的内部，旋转炉底（25）采用动力传动装置（26）带动旋转。

4.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的隔离密封罩（21）的外侧设置有可控硅调节控制的电热元件（22）。

5.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的炉盖（20）顶端设置有与隔离密封罩（21）连通的尾气排放口（12）、防爆热电偶温度计（13）、防爆压力传感器（14）和超压泄放装置（15）。

6.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的炉体（18）侧壁设置有与CNTS均热生长室（10）连通的氢气进气口（2）、碳源气体进气口（1），炉体（18）侧壁上还设置有与催化剂还原活化室（7）连通的补充氢气口（8）。

7.根据权利要求1所述的工业级超长碳纳米管的阵列连续生长设备，其特征在于，所述的连续出料装置（4）设置在出料过渡室（11）内，出料过渡室（11）上设置有出料口（3），连续出料装置（4）的一端位于隔离密封罩（21）内，连续出料装置（4）的另一端穿过出料口（3）设置在产品收集罐（27）的开口上方。