[发明专利]二维方向导磁的导磁体结构在审
| 申请号： | 201610442867.1 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527704A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;甘廷文 | 申请（专利权）人： | 深圳市安普盛科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 向导 磁体 结构 | ||
1.一种二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：所述结构由沿x轴方向的若干并排的长条状导磁体和沿y轴方向的若干并排的所述长条状导磁体相互贴合或者编织而成；所述相互贴合的导磁体结构中，导磁体相互贴紧的部位设有绝缘层材料，所述绝缘层材料将x轴方向的长条状导磁体和y轴方向的长条状导磁体相互绝缘；或，所述相互编织的导磁体结构中，所述长条状导磁体表面涂覆有将x轴方向的导磁体和y轴方向的导磁体进行绝缘的绝缘层。
2.如权利要求1所述的二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：所述相互贴合的导磁体结构呈三明治结构，所述绝缘层材料为陶瓷、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸类塑料中的任一种；或所述编织的导磁体结构中，绝缘层的材料为漆包线漆。
3.如权利要求1-2任一所述的二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：所述长条状导磁体的直径≤300μm；或宽度≤300μm，厚度≤300μm。
4.如权利要求1-2任一所述的二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：所述同一个方向的所述长条状导磁体有断裂，但该方向长条状导磁体的断裂量不超过该方向长条状导磁体总量的30％。
5.如权利要求1-2任一所述的二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：构成所述导磁体的材料为铁，镍，钴及铁镍、铁钴、镍钴合金或所述合金氧化物中的至少一种。
6.如权利要求1-2任一所述的二维方向导磁的导磁体结构，其特征在于：所述同一方向的长条状导磁体相互间的间距为0～100μm，且间距不为0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市安普盛科技有限公司，未经深圳市安普盛科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610442867.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
