[发明专利]内离子源回旋加速器有效

专利信息
申请号: 201610416387.8 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN105848403B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 何小中;赵良超;庞健;马超凡;张开志;邓建军;石金水;刘本玉;章林文;李雷;李劲;杨国君;杨兴林;杨振;荆晓兵;董攀;杨安民;江孝国;唐蜜;龙全红 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H05H13/00 分类号: H05H13/00;H05H7/00;A61B6/03
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 何龙
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 离子源 回旋加速器
【权利要求书】:

1.内离子源回旋加速器,其特征在于,包括:

相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极;

分别围绕所述上磁极和所述下磁极外周面的上线圈和下线圈;

多个围绕所述上线圈布置的上磁轭,多个围绕所述下线圈布置的下磁轭;

位于所述上磁极和所述下磁极之间,并与所述上磁极和所述下磁极连接的真空盒;所述上磁极开设有从上至下贯穿所述上磁极,且与所述真空盒连通的上通道;

贯穿所述真空盒的壁,且出射端位于所述真空盒内的离子源;

位于所述上磁极上方的分子泵,所述分子泵的输入端朝下设置,所述分子泵的输入端与所述上通道连通。

2.根据权利要求1所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述上磁极包括上磁极底座,围绕所述上磁极底座的中轴线均匀间隔设置于所述上磁极底座下表面的四个扇形的上磁极尖,以及设置在所述上磁极尖侧面的上镶条;

所述下磁极包括下磁极底座,围绕所述下磁极座的中轴线均匀间隔设置于所述下磁极底座上表面的四个扇形的下磁极尖,以及设置在所述下磁极尖侧面的下镶条。

3.根据权利要求2所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

八个所述上镶条中,部分构成与所述上磁极尖固定连接的固定上镶条,另一部分构成与所述上磁极尖可拆卸连接的活动上镶条;

八个所述下镶条中,部分构成与所述下磁极尖固定连接的固定下镶条,另一部分构成与所述下磁极尖可拆卸连接的活动下镶条。

4.根据权利要求3所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

八个所述上镶条中,其中四个所述上镶条构成所述固定上镶条,另外四个所述上镶条构成所述活动上镶条;

八个所述下镶条中,其中四个所述下镶条构成所述固定下镶条,另外四个所述下镶条构成所述活动下镶条。

5.根据权利要求4所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述上磁极尖的一个侧面设置所述活动上镶条,所述上磁极尖的另一个侧面设置所述固定上镶条;相邻的所述上磁极尖的相邻的侧面设置相同种类的所述上镶条;

所述下磁极尖的一个侧面设置所述活动下镶条,所述下磁极尖的另一个侧面设置所述固定下镶条;相邻的所述下磁极尖的相邻的侧面设置相同种类的所述下镶条。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述下磁极开设有从下至上贯穿所述下磁极,且与所述真空盒连通的下通道;

所述内离子源回旋加速器还包括贯穿所述下通道并与所述离子源连接的位置调节机构。

7.根据权利要求6所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述位置调节机构包括驱动电机和连杆组件;所述连杆组件位于所述真空盒内,所述驱动电机的转轴贯穿所述下通道与所述连杆组件的一端连接,所述连杆组件的另一端与所述离子源的出射端连接。

8.根据权利要求7所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述连杆组件包括第一连杆和第二连杆,所述第一连杆的后端与所述第二连杆的前端可转动地连接,所述第一连杆的前端与所述离子源可转动的连接,所述第二连杆的后端与所述驱动电机的转轴连接。

9.根据权利要求8所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述第一连杆的前端与所述离子源的出射端可转动的连接。

10.根据权利要求8所述的内离子源回旋加速器,其特征在于:

所述驱动电机的转轴通过偏心轮与所述第二连杆的后端连接。

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