[发明专利]一种基于太赫兹波的检测系统

权利要求书

1.一种基于太赫兹波的检测设备，其包括：一太赫兹波发射源，一探测器，以及一分别与该太赫兹波发射源和探测器连接的控制电脑；所述太赫兹波发射源包括一太赫兹反射速调管，其特征在于，所述太赫兹反射速调管包括：一电子发射单元、一谐振单元和一输出单元，所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元。

2.如权利要求1所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射单元包括一基板、一阴极层、一电子注入层和一引出栅，所述基板具有一表面，所述阴极层设置于所述基板的表面，所述电子注入层设置于所述阴极层远离所述基板的表面，所述电子注入层具有一垂直贯穿上下表面的电子发射孔道，该电子发射孔道内设有电子发射体，所述引出栅设置于所述电子注入层远离所述阴极层的表面，且至少覆盖所述电子发射孔道。

3.如权利要求2所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射孔道具有预定倾斜度的倾斜侧壁，该电子发射孔道的孔径随着远离阴极层的方向逐渐变窄。

4.如权利要求3所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射孔道呈现倒漏斗的形状。

5.如权利要求2所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射孔道的侧壁涂覆有次级电子倍增材料。

6.如权利要求2所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射体的整体形状与所述电子发射孔道的侧壁的形状一致。

7.如权利要求2所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电子发射单元进一步包括一电阻层，该电阻层设置于所述电子发射体与阴极层之间，并与所述电子发射体接触设置。

8.如权利要求7所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述电阻层的电阻大于10GΩ。

9.如权利要求1所述的基于太赫兹波的检测设备，其特征在于，所述耦合输出孔设置于所述谐振腔体内磁场极大值位置的腔体壁。

10.一种基于太赫兹波的检测设备，其包括：一太赫兹波发射源，一探测器，以及一分别与该太赫兹波发射源和探测器连接的控制电脑；其特征在于，所述太赫兹波发射源包括：

一基板；

多个太赫兹反射速调管，所述太赫兹反射速调管包括：一电子发射单元、一谐振单元和一输出单元；所述电子发射单元用于发射电子；所述谐振单元包括一谐振腔体，该谐振腔体与所述电子发射单元相通，该电子发射单元发射的电子进入所述谐振腔体，所述谐振腔体与所述电子发射单元相对的腔体壁具有一耦合输出孔，所述输出单元通过所述耦合输出孔与所述谐振单元相通，所述谐振单元中产生的太赫兹波通过所述耦合输出孔传输到所述输出单元；以及

多根行线及多根列线；所述多根行线平行间隔设置于所述基板，所述多根列线平行间隔且垂直多根行线设置；所述多根行线与多根列线相交处电绝缘，每相邻两根行线与相邻两根列线定义一格子单元，每一格子单元至少设置一太赫兹反射速调管；每一行太赫兹反射速调管与同一根行线电连接，每一列太赫兹反射速调管与同一根列线电连接。