[发明专利]一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件在审
| 申请号： | 201610370598.2 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106025065A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;李悦;冯玉林;王芳;方明旭;唐登轩;苗银萍;马峻 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 硫化 钼片层 二元 氧化物 结构 器件 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610370598.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线性振动马达
- 下一篇：柑橘果实大小描述及分级方法
