[发明专利]体声波壁面剪切应力传感器有效

专利信息
申请号: 201610295276.6 申请日: 2016-05-06
公开(公告)号: CN105784222B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 高杨;赵俊武;雷强;王雄;邱华诚;刘婷婷;袁明权;张茜梅 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: G01L1/25 分类号: G01L1/25
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 声波 剪切 应力 传感器
【权利要求书】:

1.体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:包括基底(1)、支撑层(2)、检测元件、敏感元件、外壳(8)、上盖板(11)和读出电路,基底(1)上紧贴设置支撑层(2),外壳(8)沿支撑层(2)上方的边缘一周设置,外壳(8)的顶部设置上盖板(11),上盖板(11)中间开设有安放敏感元件顶部的开口,支撑层(2)、外壳(8)和上盖板(11)之间形成一个空腔(12)的结构;支撑层(2)上安装位于空腔(12)内的检测元件,检测元件上安装敏感元件;敏感元件的顶面与上盖板(11)的顶面齐平,且敏感元件的顶部与上盖板(11)的开口之间留有间隙(13);

所述检测元件包括FBAR、电极引线(3)和焊盘(4),FBAR位于空腔(12)内的底部紧贴设置于支撑层(2)上,焊盘(4)位于空腔(12)外设置于基底(1)的底部,FBAR通过两电极引线(3)穿过支撑层(2)、基底(1)与两焊盘(4)连接;所述FBAR包括有压电振荡堆,压电振荡堆由下到上依次包括底电极(5)、压电层(6)、顶电极(7);底电极(5)覆盖于支撑层(2)、基底(1)上安装电极引线(3)的一个通孔上,顶电极(7)覆盖于支撑层(2)、基底(1)上安装电极引线(3)的另一个通孔上,底电极(5)、顶电极(7)分别与通孔中的电极引线(3)形成电气连接;底电极(5)呈平面紧贴设置于支撑层(2)上,底电极(5)与顶电极(7)之间紧贴设置压电层(6),压电层(6)呈L型紧贴于底电极(5)的一端面的外侧和上面,即压电层(6)的一部分底面紧贴于支撑层(2)上面,压电层(6)的剩余部分的底面则紧贴于底电极(5)的上面;顶电极(7)也呈L型紧贴于压电层(6)的一端面的外侧和上面,即顶电极(7)的一部分底面覆盖于支撑层(2)的通孔上,顶电极(7)的剩余部分底面则紧贴于压电层(6)的上面;

所述敏感元件包括支撑梁(9)和浮动元件(10),支撑梁(9)的底端设置于FBAR的中心区域上,支撑梁(9)的顶端安装浮动元件(10);

所述焊盘(4)连接读出电路。

2.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述基底(1)的材料使用Si,或者柔性材料;所述支撑层(2)的材料是聚合物,或者含碳氧化硅,或者非晶碳。

3.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述FBAR为任意多边形。

4.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述焊盘(4)包括底电极焊盘与顶电极焊盘,底电极(5)通过一电极引线(3)与底电极焊盘连接,顶电极(7)通过另一电极引线(3)与顶电极焊盘连接;所述电极引线(3)均为金属Al。

5.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述支撑梁(9)的材料为聚酰亚胺,呈细长圆柱形;浮动元件(10)为金属圆形平板结构。

6.根据权利要求1或5所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述外壳(8)为聚酰亚胺材料,外壳(8)的高度与支撑梁(9)的高度相同;所述上盖板(11)的材料与浮动元件(10)的材料相同,上盖板(11)的厚度与浮动元件(10)的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述外壳(8)、空腔(12)、上盖板(11)均在形成敏感元件的深反应离子刻蚀工艺中同时形成。

8.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述读出电路是基于六端口反射计的读出电路,连接方式是:在六端口反射计的一端口连接信号源,另一端口连接所述传感器的底部的两焊盘(4)。

9.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于:所述读出电路是采用基于Pierce振荡器的读出电路。

10.根据权利要求1所述的体声波壁面剪切应力传感器,其特征在于工作原理是:当摩擦阻力作用于浮动元件(10)表面时,浮动元件(10)发生位移,使支撑梁(9)弯曲变形,支撑梁(9)上应力耦合到FBAR中,使FBAR表面应力发生变化,最终导致FBAR谐振频率偏移。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所,未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610295276.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top