[发明专利]一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池在审
申请号: | 201610268228.8 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN105742721A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 张大峰 | 申请(专利权)人: | 国轩新能源(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01M10/0587 | 分类号: | H01M10/0587;H01M10/04;H01M2/26 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高能 内阻 圆柱 锂离子电池 | ||
技术领域
本发明属于锂电池技术领域,尤其涉及一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池。
背景技术
目前,圆柱锂离子电池的卷芯主要为单极耳或多极耳的卷绕式卷芯以及叠片式卷芯。单极耳或多极耳的卷绕式卷芯虽然卷芯在卷绕时产能效率高,但受卷芯自身极耳个数及面积限制,存在低能比、高内阻等电性能方面劣势;叠片式卷芯虽然具有高能比、低内阻等性能方面的优势,但存在产能效率低、叠片数量增多时箔材转焊极耳难度大易虚焊等问题。因此,有必要开发一种兼顾卷芯卷绕效率和电池电性能的高能比、低内阻的圆柱锂离子电池。
发明内容
本发明的目的是提供一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池。
本发明通过如下技术方案实现上述目的:
一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池,包括电芯,所述电芯包括正极片、负极片、内隔膜和外隔膜,所述正极片和所述负极片上作为导电极耳的空白箔区分别位于所述电芯的两端,所述内隔膜、所述负极片的敷料区、所述外隔膜和所述正极片的敷料区依次贴合卷绕成所述电芯,所述电芯的两端分别经超声揉平形成全极耳。
优选的,所述负极片的敷料区位于所述内隔膜的中间位置,所述正极片的敷料区位于所述外隔膜的中间位置。
优选的,所述正极片的空白箔区的宽度为2mm-10mm,所述负极片的空白箔区的宽度为2mm-10mm。
优选的,所述电芯的两端导电全极耳通过超声揉平方式将所述正极片的空白箔区和所述负极片的空白箔区分别揉去0.5mm-2mm。
优选的,所述电芯采用定直径卷绕终止方式卷绕。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池的正负极以正极片和负极片的空白箔区作为导电极耳,采用全极耳超声揉平设计使电芯两端的电极形成便于后续激光焊接的致密紧凑的全极耳,大大降低了电池的内阻,提升了电池的性能,采用卷绕方式,兼顾了产能效率;整个卷芯设计方式简单,电性能佳,产率高,实用性强。
附图说明
图1是本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
实施例:
如图1所示,本实施例的一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池,包括电芯,电芯包括正极片1、负极片2、内隔膜3和外隔膜4,正极片1和负极片2上作为导电极耳的空白箔区11和21分别位于电芯的两端,内隔膜3、负极片2的敷料区22、外隔膜4和正极片1的敷料区12依次贴合采用定直径卷绕终止方式卷绕成电芯。正极片1的空白箔区11的宽度为2mm-10mm。负极片2的空白箔区21的宽度为2mm-10mm。电芯的两端分别经超声揉平使正极片1的空白箔区11和负极片2的空白箔区21分别揉去0.5mm-2mm形成全极耳。负极片2的敷料区22位于内隔膜3的中间位置,正极片1的敷料区12位于外隔膜4的中间位置。
应用本实施例时,正极片1和负极片2采用连续涂布,敷料区12和22两端各留适宜宽度的空白箔材,经烘烤、碾压、分切成前端留2mm-10mm的空白箔区11和21。调整卷绕机,内隔膜3先预卷2圈后加入负极片2,将负极片2的敷料区22置于内隔膜3中间,负极片2的空白箔区21沿内隔膜3的宽度方向的左侧延伸,内隔膜3、外隔膜4与负极片2一起卷1.5圈后加入正极片1,将正极片1的敷料区12置于外隔膜4中间,正极片1的空白箔区11沿外隔膜4的宽度方向的右侧延伸,与负极片2、内隔膜3、外隔膜4一起卷绕,最后以定直径方式终止卷绕,切断隔膜与电极极片,再将电芯的两端的空白箔区11和21通过超声揉平分别揉去0.5mm-2mm形成全极耳,即可得到高能比、低内阻的圆柱锂离子电池。负极片2用于电池的负极,在电池电性能测试时锂离子脱嵌其炭层间,内隔膜3和外隔膜4用于隔离正负电极防止电池内短路,正极片1用于电池的正极,在电池电性能测试时锂离子的脱嵌其磷酸铁锂等主材间。
本实施例的一种高能比、低内阻的圆柱锂离子电池的正负极以正极片1和负极片2的空白箔区11和21作为导电极耳,采用全极耳超声揉平设计使电芯两端的电极形成便于后续激光焊接的致密紧凑的全极耳,大大降低了电池的内阻,提升了电池的性能,采用卷绕方式,兼顾了产能效率;整个卷芯设计方式简单,电性能佳,产率高,实用性强。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
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