[发明专利]非接触型磁力压电式位移传感器在审

专利信息
申请号: 201610265114.8 申请日: 2016-04-26
公开(公告)号: CN105783689A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 高金;王吉忠;倪新;张云;李向楠;张宇琪;郭倩倩;刘静;高丽 申请(专利权)人: 高金
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02;G01G19/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 山东省青岛经济技术开发区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 接触 磁力 压电 位移 传感器
【权利要求书】:

1.非接触型磁力压电式位移传感器,包括永磁体组A、永磁体组B、压电元件;所述永磁体组A固定在一被测量端;所述压电元件固定在另一被测量端;所述永磁体组B直接固定在压电元件上或通过支架、垫片等方式连接在压电元件上,所述永磁组B受到的排斥力等作用力可以传递到压电元件上;所述永磁体组A和永磁体组B安装时同极相对并保持一定距离。

2.按照权利要求1所述的非接触型磁力压电式位移传感器,其特征在于,所述永磁体组A和永磁体组B为一个某种材料、形状的永磁体。

3.按照权利要求1所述的非接触型磁力压电式位移传感器,其特征在于,所述永磁体组A和永磁体组B为多个某种材料、形状的永磁体按照某种排列方式组成的永磁体组合。

4.按照权利要求1所述的非接触型磁力压电式位移传感器,其特征在于,工作原理是采用磁体同极排斥和压电元件的压电效应相结合的工作原理。

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