[发明专利]一种三线制LVDT的绕线工艺有效
申请号: | 201610260278.1 | 申请日: | 2016-04-25 |
公开(公告)号: | CN105719829B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 张裕悝;张冰;卫海燕 | 申请(专利权)人: | 安徽感航电子科技有限公司 |
主分类号: | H01F41/064 | 分类号: | H01F41/064 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三线 lvdt 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及位移传感器技术领域,具体涉及一种三线制LVDT的绕线工艺。
背景技术
位移传感器又称为线性传感器,是一种属于金属感应的线性器件,传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。常见的有三线制LVRT GE、肋板式三线制LVDT,但是这两种类型的唯一传感器由于磁场不均匀,外形尺寸都很长,如日本LS系列的产品,其外形与美国GE产品一样,例如日本LS-300的外形尺寸为φ32x686mm,美国GE-6(LVRT)的外形尺寸为φ32x685.8mm(即27英寸),线性度可达0.2%,但温度系数为0.03%/F.S/℃。又如层绕式三线制LVDT,无锡市河埒传感器有限公司TD-1系列产品线性度为0.5%,温度系数0.03%/F.S/℃,外形尺寸则相对较短。因此迫切需求一种既具有较短的外形尺寸,也同时拥有较小线性度的三线制LVDT的绕线工艺,以满足使用需求。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的不足,本发明提出一种三线制LVDT的绕线工艺。
一种三线制LVDT的绕线工艺,所述工艺步骤如下:
第一步:次级Ⅰ绕线:
绕线从中点即230mm处开始,次级Ⅰ向右密绕2层,每层662.8圈,间距为0.346mm;
第3层为间绕A,密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕A;
第4层间绕A,拉出一根引出线,与左半边第5层开始线在外部连接;
第二步:次级Ⅱ绕线:
次级Ⅱ从中点向左密绕2层,每层662.8圈,间距0.346mm;
第3层为密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕B;
第4层间绕B,接下去绕右半边第5层,密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕B;
第6层间绕B,结束为次级Ⅱ尾;
左半边从第5层中点开始,向左密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕A;
第6层间绕A,结束为次级Ⅰ尾;
第三步:左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。
本发明的有益效果是:本发明不用初级线圈,仅用次级按等差级数排列,两组线圈串接,线性度为0.2%,温度系数为0.014/F.S/℃,按照本发明的技术方案制成的产品既具备了TD-1系列产品较短的外形尺寸,也同时保证了线性度达到国家标准。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明的绕线示意图;
图2为本发明的间绕A的绕线示意图;
图3为本发明的间绕B的绕线示意图;。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面对本发明进一步阐述。
如图1至图3所示,一种三线制LVDT的绕线工艺,所述工艺步骤如下:
第一步:次级Ⅰ绕线:
绕线从中点即230mm处开始,次级Ⅰ向右密绕2层,每层662.8圈,间距为0.346mm,绕线方向如图1箭头所示;
第3层为间绕A,密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕A见图2;
第4层间绕A,拉出一根引出线,与左半边第5层开始线在外部连接;
第二步:次级Ⅱ绕线:
次级Ⅱ从中点向左密绕2层,每层662.8圈,间距0.346mm,方向如图1箭头所示;
第3层为密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕B,见图3;
第4层间绕B,接下去绕右半边第5层,密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕B;
第6层间绕B,结束为次级Ⅱ尾;
左半边从第5层中点开始,向左密绕331.4圈,间距为0.346mm,间绕A;
第6层间绕A,结束为次级Ⅰ尾;
第三步:左半边第5、6层与右半边第1、2、3、4层组成次级Ⅰ整个线圈。
采用本发明的技术方案,制成的产品应用于汽轮机行业,在具备外形尺寸较小的条件下,能够达到日本LS系列的产品的0.2%的线性度,温度系数可达0.014/F.S/℃,弥补了日本LS系列的产品外形尺寸都很长的不足。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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