[发明专利]一种用在行波管上的高耐压充气式收集极有效
| 申请号: | 201610257349.2 | 申请日: | 2016-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN105762049B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 苏小刚;吴钢;隋高英 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号: | H01J23/027 | 分类号: | H01J23/027;H01J25/34 |
| 代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 王喆;张文祎 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 行波 耐压 充气式 收集 | ||
本发明公开了一种用在行波管上的高耐压充气式收集极,包括内收集极和外收集极,内收集极与外收集极之间设有氧化铍瓷件;内收集极与外收集极之间的腔室为高压充气腔室,且该高压充气腔室与内收集极的内腔之间密封隔离。本发明利用绝缘瓷封件将传统收集极内所具有的一种气密环境隔离成两个气密环境,可用于高降压收集极行波管结构中,适合高效率高阴极电压降压收集极行波管提高效率的应用,具有耐压高、可靠性高等优点。
技术领域
本发明涉及一种收集极,特别涉及一种用在行波管上的高耐压充气式收集极。
背景技术
行波管收集极主要作用是回收电子枪发射的电子,电子经高频聚焦磁场调试后,高速回到收集极处。采用高降压或者多级降压收集极可以大幅度提高整管效率。
大功率行波管工作电压基本都在15kV以上,若收集极加电电压(对阳极)达到阴极电压的70%-80%(收集极电压降为阴极电压的20%-30%),此时基本无返流,能将此类行波管效率提高30%以上甚至35%以上。
目前传统常用的行波管收集极的工作加电基本在10kV左右,已经远远不能满足高阴极电压行波管使用要求。参照图1所示,图1为传统收集极的结构示意图,其中氧化铍瓷件3ˊ焊接在内收集极2ˊ和外收集极1ˊ之间,传统收集极内具有的一个气密真空环境,该气密真空环境为内收集极2ˊ的内腔21ˊ、及内收集极2ˊ与外收集极1ˊ之间的腔室4ˊ,由于氧化铍瓷件3ˊ表面进行了金属化处理,由于经高温烘烤后,焊料在表面流散会引起氧化铍耐压特性降低,同时,因为收集极处于真空环境,收集极经长时间贮存,金属及陶瓷零件会释放出微量气体(各种材料内部均含有微量空气,在真空环境长期贮存会慢慢释放),致使真空环境进入低气压环境,根据帕刑定律,长期贮存后会影响收集极耐压性能。为了克服这些缺陷,这就需要根据帕刑定律高气压耐压特性重新设计一种具有高耐压力结构的收集极。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用在行波管上的高耐压充气式收集极;本发明利用绝缘瓷封件将传统收集极内所具有的一种气密环境隔离成两个气密环境,其中一种气密环境还保持原来的真空环境,即内收集极的内腔中的真空环境,而另一种气密环境为可具有4到7个大气压的高压环境,即高压充气腔室内的环境;根据帕刑定律,随电极间距离和气压乘积增加,电极间放电击穿电压升高,本发明所提供的收集极可用于高降压收集极行波管结构中,适合高效率高阴极电压降压收集极行波管提高效率的应用,具有耐压高、可靠性高等优点。
为解决上述技术问题,本发明采用下述技术方案:
一种用在行波管上的高耐压充气式收集极,所述收集极包括内收集极和外收集极,所述内收集极与外收集极之间设有氧化铍瓷件;所述内收集极与外收集极之间的腔室为高压充气腔室,且该高压充气腔室与所述内收集极的内腔之间密封隔离。
进一步的,所述高压充气腔室与所述内收集极的内腔之间通过绝缘瓷封件密封隔离。
进一步的,所述绝缘瓷封件包括套设在所述内收集极上的瓷件本体、位于所述瓷件本体上用于与所述外收集极密封连接的第一金属件,及位于所述瓷件本体上用于与所述内收集极密封连接的第二金属件。
进一步的,所述第一金属件通过连接过渡盘与所述外收集极密封固定连接。
进一步的,所述瓷件本体的材质为氧化铝。
进一步的,所述瓷件本体套设在所述内收集极的头部部件上。
进一步的,所述高压充气腔室内设有4-7个标准大气压的惰性气体。
进一步的,所述惰性气体为氦气或氩气。
进一步的,所述外收集极上设有用于为高压充气腔室充气的充气管。
进一步的,所述高压充气腔室内设有4-7个标准大气压的氮气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十二研究所,未经中国电子科技集团公司第十二研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610257349.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制作方法
- 下一篇:一种漏电断路器上的试验装置





