[发明专利]一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器

说明书

本发明公开了一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，包括上腔体、介质膜片、中间段和承载腔体，上腔体、中间段、承载腔体从上至下顺序叠放；中间段的上表面开设有容置介质膜片的承载槽，下表面开设有输入端口、直通端口以及连通输入端口、直通端口的主波导传输通道；上腔体的下表面开设有隔离端口、耦合端口和连通隔离端口、耦合端口的副波导传输通道；介质膜片沿纵向中心线等间距开设有若干等半径的金属化通孔。本发明通过更换具有不同过孔参数的介质膜片，即可灵活地对耦合器的电性能指标进行调整，而除介质膜片以外的其余结构可以保留并通用；具有成本更低、实现周期更短、调整更为方便灵活的优点，可适用于毫米波频段的定向耦合器。

技术领域

本发明涉及一种无源器件，尤其涉及一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，属于通信设备技术领域。

背景技术

在现代测试、通信及雷达系统中，常常需要用到定向耦合器，其主要功能是让主通道中的能量信号以尽可能低的损耗通过，同时耦合出一部分能量以做包络、功率或频谱检测。在微波频段，定向耦合器通常都是基于微带线结构实现，随着系统工作频率升高进入毫米波频段，尤其是60GHz以上频段，基于微带线结构的定向耦合器因介质损耗、辐射损耗等原因而不再适用，而基于波导的定向耦合器因其低损耗特性就成为最常用的耦合器结构，这类波导耦合器传统上都是基于纯金属波导实现的，其具体结构包括波导分支线结构及小孔耦合结构。比如：2015年5月底于合肥召开的2015年全国微波毫米波会议上报道的《Ku波段3dB分支波导定向耦合器分析与设计》一文中，就是采取的使用金加工工艺的纯金属波导分支线结构。在这次会议论文集中，还报道了《W波段全波段波导定向耦合器的快速设计》一文，该文采用的也是使用金加工工艺的基于纯金属波导的小孔耦合结构。2014年成都电子科大的研究人员申请的一篇发明专利《一种过模圆波导宽带定向耦合器及其设计方法》（申请号：20141075446.1，公布号：CN 10450551 A），也是采用纯金属波导孔耦合结构。但是，这类纯金属结构的波导耦合器存在以下不足：1、工作频率越高，耦合结构如耦合槽或耦合孔的尺寸越精细（以2mm波段为例，使用分支线结构时其边缘耦合槽的宽度已不足0.2mm），这种精细的尺寸往往超出了普通金属加工切削的能力极限，需要定制专用的电极，采用电火花加工的方式才能实现，加工周期很长，成本很高；2、普通金加工的精度一般在10um的量级，而在毫米波频段，耦合器的电性能参数（如耦合平衡度、平坦度等）对结构尺寸参数非常敏感，10um的加工精度已不能满足耦合器的性能需求；3、基于纯金属结构的波导定向耦合器一旦加工完成，其结构及性能参数就已定型，无法修改调整。这会带来两个弊端：首先，如果因加工误差导致耦合器的实测电性能与预期性能有所偏差，那整个耦合器就是一个不合格品，没有任何补救的措施，只能作废；其次，即使加工完的耦合器性能符合设计预期，但是一旦应用于不同系统，可能需要不同的技术指标，那就需要重新设计、加工整个耦合器，成本及时间周期上的代价都比较高。2015年《微波学报》上报道了中国工程物理研究院的研究人员使用MEMS工艺进行波导定向耦合器的研制（《一种可运用于THz波段的新型定向耦合器》， Vol.31, No.3, pp:90-93），该文所提到的耦合器本质上还是属于多分支波导耦合器的范畴，借助于MEMS工艺可极大提升小电尺寸条件下的工艺精度及性能可靠性，但依然无法弥补上述第3点不足。另外，其成本及工艺复杂度也较普通金加工工艺高出不少。在强调成本控制及技术灵活性的民用领域，这些不利因素无疑大大限制了其在相应系统里的大规模使用。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，解决现有技术中基于纯金属结构的毫米波波导定向耦合器过度依赖金属加工能力及精度、耦合器结构件通用性差、缺乏性能调节及可替换措施的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，包括上腔体、介质膜片、中间段和承载腔体，所述上腔体、中间段、承载腔体从上至下顺序叠放；

所述中间段的上表面开设有容置介质膜片的承载槽，下表面开设有输入端口、直通端口以及连通输入端口、直通端口的主波导传输通道；