[发明专利]一种基于单片机的紫外LED阵列的控制系统有效
申请号: | 201610236890.5 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN105770959B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 王宇航;黄岑宇 | 申请(专利权)人: | 镇江市高等专科学校 |
主分类号: | A61L9/20 | 分类号: | A61L9/20 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 汤磊 |
地址: | 212003*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 单片机 紫外 led 阵列 控制系统 | ||
一种基于单片机的紫外LED阵列的控制系统,包括电路基板、紫外LED发光源、紫外线滤光镜、LED驱动电路、MCU控制器、单片机控制单元、散热单元、活性催化剂层;所述单片机控制单元采用89C52系列单片机,也可采用PIC系列单片机加输出口扩展芯片的组合,所述单片机控制单元采用5V电源供电,输入采用4*4阵列式键盘,键盘包括0‑9数字键以及复位键和功能键,输出采用4位LED数码管进行显示。另留出8bit数据总线对LED阵列进行选通控制,通过键盘设定工作LED号,单片机控制该选通单元进行工作。
技术领域
本发明涉及一种基于单片机的紫外LED阵列的控制系统的设计方法。
背景技术
紫外线作为重要的消毒手段已经被广泛应用于各个领域。而传统的紫外汞灯响应速度慢,耗能高,且驱动电路负担大,发热高,并且因为体积、功率的问题难以做成控制阵列,影响控制效率。
紫外LED一般指发光中心波长在405nm以下的LED,LED业界通常将发光波长位于355~405nm时称为近紫外LED,而短于300nm时称为深紫外LED。目前在LED的研究和生产中用到最多的材料GaN的禁带宽度为3.4eV,对应的发光波长为365nm,刚好处于近紫外波段范围,因此,近紫外LED中一般采用GaN作为基材。而深紫外LED通过在基材GaN中添加Al扩大带隙,获得更短的发光波长。按照更详细的波段与用途,紫外LED可以分为以下三类:(1)UVA:波长在315~405nm之间,主要用于固化,医疗,印刷,光刻,验钞和光催化等;(2)UVB:波长在280~315nm之间,主要用于医疗,生物分析(如DNA)等;(3)UVC:波长小于280nm,主要用于杀菌(水、空气净化)和成分分析等。
目前紫外LED虽然已有少量应用于消毒、杀菌等领域,但基于智能控制系统的多LED阵列的复合消毒除味一体化装置尚未见报道。
与紫外LED类似,光触媒等催化氧化技术也在空气净化领域得到了广泛应用,本发明将催化氧化的空气净化技术与紫外LED消毒系统相结合。
发明内容
本发明的目的是利用高能源效率的的LED发光源作为基础,提供一种智能可控、消毒除味效果好的复合系统。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种基于单片机及紫外LED阵列的消毒除味装置,包括电路基板、紫外LED发光源、紫外线滤光镜、LED驱动电路、MCU控制器、单片机控制单元、散热单元、活性催化剂层;所述电路基板采用双面铜箔结构以利散热,并且预留等间距的LED器件插孔阵列,所述LED器件插孔中填充有导热材质,所述导热材质与电路板的铜箔相接触,所述铜箔与散热单元相接触,实现热量的迅速释放;单片机控制单元通过地址选通的方式实现紫外LED阵列的选择,同时通过数码管显示现在工作的紫外LED的数量;LED驱动电路、MCU控制器的数量与LED发光源的数量相同,也通过单片机进行选通;所述散热单元包括散热片、散热风扇,所述散热片表面涂覆有纳米二氧化钛与活性氧化铝的复合物涂层,散热片的温度升高可以加强所述复合物涂层的空气净化作用,通过散热风扇的作用,加快气流流动,一方面可促进散热,另一方面也提高了空气净化作用的效率。散热模组内设置有温度传感器以及加热电阻,由单片机完成温度控制。
与现有的类似技术相比,本发明具有以下技术效果:
1、通过使用紫外LED发光源,功率大幅度下降;
2、通过阵列化的设计以及单片机的智能控制,实现工作LED位置、工作LED数量的灵活控制;
3、通过完善的散热设计以及热量的利用,促进催化剂的净化效果。
4、通过散热模组温度区间的控制,进一步增强净化效果。
附图说明
图1是一种基于单片机的紫外LED阵列的控制系统的结构框图。
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