[发明专利]基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法在审
申请号: | 201610214917.0 | 申请日: | 2016-04-07 |
公开(公告)号: | CN105744185A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 高静;李奕;黄蕊;贾宬 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 交叉 容错 读出 堆叠 结构 图像传感器 方法 | ||
技术领域
本发明涉及3D堆叠结构图像传感器基于交叉容错方法读出的布局布线设计,模拟集成电路设计和3D叠层封装工艺技术领域,是一种同时满足创新性、高帧频、小尺寸、低成本需求的图像传感器。具体讲,涉及基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法。
背景技术
3D堆叠结构图像传感器利用各层芯片间的垂直互联,可以实现信号的并行处理。相比于因模数转换器(Analog-to-DigitalConverter,ADC)转换速度而使帧频受限制的传统平面CMOS图像传感器,3D堆叠结构图像传感器可以在电路性能不变的前提下减小芯片面积、降低功耗同时成倍地提高帧频。在3D堆叠图像传感器(结构如图1所示)中,像素单元采集的信号经微凸块μbump、ADC和通过硅片通道(ThroughSiliconVias,TSV)传递到图像信号处理器(ImageSignalProcessor,ISP)中。由于ADC单元面积大于像素单元面积,不可能为每个像素单元设置一个独立的ADC模块,因此将整个像素阵列切割成相同大小的子阵列,每个子像素阵列使用一个ADC进行量化工作,每一个ADC经由TSV通路连接到ISP层。在μbump、ADC和TSV的信号传输路径中任意部分失效都会使像素阵列信号丢失,最终导致图像质量严重下降。
发明内容
为克服现有技术的不足,本发明旨在提出一种基于线性插值算法和交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器,消除由于μbump、ADC或TSV失效使整个像素阵列信号无法读出而最终导致图像质量降低的问题。本发明采用的技术方案是,基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法,设M表示共享1个模数转换器ADC的像素数目,N表示共用1个ADC的像素之间的间隔,图像传感器像素采用背照工艺实现,像素阵列读出信号交叉连接通过μbump传输到ADC层,ADC层的输出信号通过TSV传输到ISP层,当某一个像素信号读出通路上的微凸块μbump、ADC或硅片通道TSV失效时,则利用其相邻像素信号在图像信号处理器ISP中采用线性插值的方法恢复该失效像素信号。
线性插值算法是,以相邻两像素信号值的平均值充当失效像素的信号值。
M、N的数值存在如下关系:共享同一个ADC的像素单元数M越小,所需ADC数目越多,并行度越高,要求ADC面积越小;共用1个ADC的像素间隔N越大,某条信号传输路径失效后对图像质量的可视化影响越小,但布线越复杂。
本发明的特点及有益效果是:
通过像素阵列和ADC的交叉连接,保证当某一个像素阵列读出通路上的μbump、ADC或TSV失效时,在ISP中可利用线性插值算法恢复该失效像素信号,降低像素信号失效对图像质量的影响。共用同一个ADC的相邻像素之间的像素间隔越大,当某一条信号通路失效时对图像质量造成的影响越小。
附图说明:
图1传统3D堆叠图像传感器结构图。
图2基于交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器结构图。
图3线性插值算法。
具体实施方式
本发明提出的图像传感器二维架构如图2所示,图中以M=3,N=3示意画出。其中M表示共享1个ADC的像素数目,N表示共用1个ADC的像素之间的间隔。像素采用背照工艺实现,像素阵列读出信号交叉连接通过μbump传输到ADC层,ADC层的输出信号通过TSV传输到ISP层。当某一个像素信号读出通路上的μbump、ADC或TSV失效时,由于其相邻像素信号可正常读出,则在ISP层采用线性插值的方法恢复该失效像素信号。线性插值算法如图3所示,即以相邻两像素信号值的平均值充当失效像素的信号值。共享同一个ADC的像素单元数M越小,所需ADC数目越多,并行度越高,要求ADC面积越小;共用1个ADC的像素间隔N越大,某条信号传输路径失效后对图像质量的可视化影响越小,但布线越复杂。
本发明采用基于交叉容错的读出方法,当信号传输路径中的μbump、ADC或TSV任意部分失效时图像质量无明显下降。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610214917.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。