[发明专利]基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法在审

专利信息
申请号: 201610214917.0 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN105744185A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 高静;李奕;黄蕊;贾宬 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 交叉 容错 读出 堆叠 结构 图像传感器 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及3D堆叠结构图像传感器基于交叉容错方法读出的布局布线设计,模拟集成电路设计和3D叠层封装工艺技术领域,是一种同时满足创新性、高帧频、小尺寸、低成本需求的图像传感器。具体讲,涉及基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法。

背景技术

3D堆叠结构图像传感器利用各层芯片间的垂直互联,可以实现信号的并行处理。相比于因模数转换器(Analog-to-DigitalConverter,ADC)转换速度而使帧频受限制的传统平面CMOS图像传感器,3D堆叠结构图像传感器可以在电路性能不变的前提下减小芯片面积、降低功耗同时成倍地提高帧频。在3D堆叠图像传感器(结构如图1所示)中,像素单元采集的信号经微凸块μbump、ADC和通过硅片通道(ThroughSiliconVias,TSV)传递到图像信号处理器(ImageSignalProcessor,ISP)中。由于ADC单元面积大于像素单元面积,不可能为每个像素单元设置一个独立的ADC模块,因此将整个像素阵列切割成相同大小的子阵列,每个子像素阵列使用一个ADC进行量化工作,每一个ADC经由TSV通路连接到ISP层。在μbump、ADC和TSV的信号传输路径中任意部分失效都会使像素阵列信号丢失,最终导致图像质量严重下降。

发明内容

为克服现有技术的不足,本发明旨在提出一种基于线性插值算法和交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器,消除由于μbump、ADC或TSV失效使整个像素阵列信号无法读出而最终导致图像质量降低的问题。本发明采用的技术方案是,基于交叉容错读出的3D堆叠结构图像传感器读出方法,设M表示共享1个模数转换器ADC的像素数目,N表示共用1个ADC的像素之间的间隔,图像传感器像素采用背照工艺实现,像素阵列读出信号交叉连接通过μbump传输到ADC层,ADC层的输出信号通过TSV传输到ISP层,当某一个像素信号读出通路上的微凸块μbump、ADC或硅片通道TSV失效时,则利用其相邻像素信号在图像信号处理器ISP中采用线性插值的方法恢复该失效像素信号。

线性插值算法是,以相邻两像素信号值的平均值充当失效像素的信号值。

M、N的数值存在如下关系:共享同一个ADC的像素单元数M越小,所需ADC数目越多,并行度越高,要求ADC面积越小;共用1个ADC的像素间隔N越大,某条信号传输路径失效后对图像质量的可视化影响越小,但布线越复杂。

本发明的特点及有益效果是:

通过像素阵列和ADC的交叉连接,保证当某一个像素阵列读出通路上的μbump、ADC或TSV失效时,在ISP中可利用线性插值算法恢复该失效像素信号,降低像素信号失效对图像质量的影响。共用同一个ADC的相邻像素之间的像素间隔越大,当某一条信号通路失效时对图像质量造成的影响越小。

附图说明:

图1传统3D堆叠图像传感器结构图。

图2基于交叉容错读出方法的3D堆叠结构图像传感器结构图。

图3线性插值算法。

具体实施方式

本发明提出的图像传感器二维架构如图2所示,图中以M=3,N=3示意画出。其中M表示共享1个ADC的像素数目,N表示共用1个ADC的像素之间的间隔。像素采用背照工艺实现,像素阵列读出信号交叉连接通过μbump传输到ADC层,ADC层的输出信号通过TSV传输到ISP层。当某一个像素信号读出通路上的μbump、ADC或TSV失效时,由于其相邻像素信号可正常读出,则在ISP层采用线性插值的方法恢复该失效像素信号。线性插值算法如图3所示,即以相邻两像素信号值的平均值充当失效像素的信号值。共享同一个ADC的像素单元数M越小,所需ADC数目越多,并行度越高,要求ADC面积越小;共用1个ADC的像素间隔N越大,某条信号传输路径失效后对图像质量的可视化影响越小,但布线越复杂。

本发明采用基于交叉容错的读出方法,当信号传输路径中的μbump、ADC或TSV任意部分失效时图像质量无明显下降。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610214917.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top