[发明专利]一种双管反激的单级PFC的LED电路

说明书

本发明公开了一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、三极管Q3和芯片IC1，所述三极管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。本发明因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。

技术领域

本发明属于LED电源技术领域，尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路，具体应用到较高的交流输入电压，较高的PF且低THD要求的LED电源。

背景技术

现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下，要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压，从整机的成本，以及器件的应用选型，到整机的效率，产品的功率密度等都是一个比较传统的技术，造成整机的成本高，以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。

发明内容

本发明目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用，器件易选型，器件余量足，配合现有的单级PFC电路，实现高PFC低THD的一种LED电源电路实现产品成本低，产品竞争能力强。

为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处，本发明通过以下技术方案得以实现。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、MOS管Q3和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。

优选的，所述初级侧N1上串联有电阻R23。

优选的，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。

本发明还提供了一种双管反激的单级PFC的LED电路的保护方法，该方法是是把双管反激电路与PSR的单级PFC电路结合在一起，能较好的处理较高的交流电压输入时MOS耐压问题，把本应用约1KV以上耐压的MOS，用两个常用耐压的650V或700V的MOS串联使用，可以较好的解决单颗MOS的高耐压问题，同时相对单颗高压MOS比较，两颗低压MOSRDS较小，损耗较小，提高了整机效率，具体工作过程如下：

S1、PWM信号由IC1的脚输到NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2组成的图腾，放大IC的驱动电流能力，把PWM信号经电容C2输到变压器T2的初级侧N1；