[发明专利]用于去除无源互调失真的端接装置

说明书

本发明公开一种用于去除无源互调失真的端接装置。公开的装置为设置于RF装备的端接装置，其特征在于，包括：混合耦合器，其具有至少两个输出端子及输入端子，所述输入端子结合于所述RF装备；以及，终端电阻，其分别结合于所述至少两个输出端子，其中，所述至少两个输出端子中，从输入端子到第一输出端子的信号路径使相位滞后90度，从输入端子到第二输出端子的信号路径使相位滞后180度。公开的端接装置能够最小化PIMD引起的寄生信号。

技术领域

本发明涉及用于去除无源互调失真的端接装置，尤其涉及一种设置在混合耦合器之类的RF装备的终端部用于最小化PIMD(Passive Intermodulation Distortion)的端接装置。

背景技术

移动通信发展的重要因素是增大服务容量、提高通话品质。对于这种服务容量的增大及通话品质的提高来讲，信道之间的干涉一直都是个重要问题，该干涉问题中重要因素之一为互调失真(IMD；Intermodulation D istortion)。

IMD是指两个以上的信号频率引起相互干扰现象，导致发生不必要的寄生信号，当无源元件出现这种现象的情况下称为无源互调失真(PIMD；Passive IntermodulationDistortion)。PIMD不同于发生于有源元件的IMD，直至不久之前仅有卫星通信等高电力通信系统考虑该现象，商用移动通信则几乎忽略了该现象。然而，随着移动通信服务的扩张，相邻基站之间的干扰增大，与此相关的IMD问题也在增多，不仅出现了有源元件的IMD，还出现了关于PIMD的问题。由于关于有源元件的IMD的研究一直都未间断，因此不会有太大问题，而PIMD是构建通信系统时至今都没有考虑过的因素，因此引起的问题更大。

RF部件发生PIMD的原因大体可以分为接触非线性(Contact Nonlinearity)与材料非线性(Material Nonlinearity)。接触非线性的原因有导体之间的薄氧化层引起的结电容、金属接触时导体之间的半导体作用引起的隧道效应、金属之间的空隙与微裂引起的微放电(Micro-discharge)、与金属表面的灰尘与金属粒子相关的非线性、金属结合时发生的收缩电阻(Constriction resistance)等，材料非线性的原因有镍、铁、钴等磁滞(Hysteresis)效应、内部肖特基效应(Internal Shottkey Ff fect)、导体的有限导电率引起的热效应(Thermal heating)等。

这种PIMD能够造成移动通信系统的各阶段出现问题，尤其成为造成基站系统内发生预料不到的噪声的主要原因。

图1为显示PIMD引起寄生信号的一个例子的示意图。

图1显示当具有f1、f2两个单音信号(tone signal)的情况下致使PIMD引起寄生信号成分的情况。

如图1所示，与信号的原频率相近的频带发生的寄生信号成分能够在收发信号的移动通信系统的前端部引起很大问题。

图2为显示移动通信系统的前端部构成的示意图。

参照图2，移动通信系统的前端部包括发送滤波器200、接收滤波器202、低噪音放大器(Low Noise Amplifier；LNA)204、信号处理部206及天线208。

发送滤波器200的功能是过滤移动通信系统向移动通信终端传输的发送信号频带，接收滤波器202的功能是过滤移动通信终端向移动通信系统传输的接收信号频带。

低噪音放大器204的功能是去除从移动通信终端接收并通过接收滤波器202过滤的信号的噪音并放大。

通常，移动通信系统的接收信号与发送信号使用不同频带，该频带一般相近。例如，CDMA移动通信系统中发送频带为1930MHz～1990MHz带宽，接收频带具有1850MHz～1910MHz带宽的信号。