[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管(T2)为开关薄膜晶体管；

所述第三薄膜晶体管(T3)设置于第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)与电源正电压(VDD)之间，通过接入发光控制信号(Em)来控制有机发光二极管(D1)的发光时间；

所述第四薄膜晶体管(T4)设置于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)与电源负电压(VSS)之间，通过接入电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)写入电源负电压(VSS)；

所述第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)分别电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)、源极(S)，通过电性恢复控制信号(CS)来控制向第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)、源极(S)写入一参考负电压(Vref)；

电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值为负值，且电源负电压(VSS)与参考负电压(Vref)的差值的绝对值不超过有机发光二极管(D1)的开启电压；

所述发光控制信号(Em)、及电性恢复控制信号(CS)均由外部时序控制器提供。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)；

第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(Em)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)；

第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)，漏极接入电源负电压(VSS)；

第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)；

第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入电性恢复控制信号(CS)，源极接入参考负电压(Vref)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的源极(S)；

第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)电性连接第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第四薄膜晶体管(T4)的源极，源极(S)电性连接有机发光二极管(D1)的阳极及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，漏极(D)电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极及第五薄膜晶体管(T5)的漏极；

电容(C1)的一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)，另一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)或源极(S)；

有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极(S)及第六薄膜晶体管(T6)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS)。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、与第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

4.如权利要求1或2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制信号(Em)、扫描信号(Scan)、与电性恢复控制信号(CS)相组合，在一帧画面周期内先后对应于一数据写入与发光阶段、及一电性恢复阶段；

在所述数据写入与发光阶段，所述扫描信号(Scan)为高电位脉冲，发光控制信号(Em)为高电位，电性恢复控制信号(CS)为低电位；

在所述电性恢复阶段，所述扫描信号(Scan)为低电位，发光控制信号(Em)为低电位，电性恢复控制信号(CS)为高电位。