[发明专利]微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构

权利要求书

1.微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，包括上、下层介质基板、顶层金属层、中间金属层、底层金属层、第一和第二金属通孔列，顶层金属层位于上层介质基板的上表面，中间金属层位于上、下层介质基板之间，底层金属层位于下层介质基板的下表面；

第一、第二金属通孔列平行，且与顶层金属层、中间金属层、底层金属层构成FSIW，其中，第一金属通孔列连通顶层金属层、中间金属层、底层金属层，第二金属通孔列连通顶层金属层、底层金属层，第二金属通孔列与中间金属层之间存在间隙；

中间金属层上设置有第一、第二带状线以及第一、第二微带线，其中，第一、第二带状线分别与FSIW中间金属层靠近第二金属通孔列一侧的两端连接，用以激励FSIW；第一、第二微带线分别与第一、第二带状线连接，作为输入端口。

2.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，第一、第二微带线的特性阻抗均为50欧姆。

3.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，在第一带状线的两侧对称设置有第一金属通孔组，用以抑制带状线不连续处的高次模向外扩散。

4.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，在第二带状线的两侧对称设置有第二金属通孔组，用以抑制带状线不连续处的高次模向外扩散。

5.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，在第一、第二带状线与FSIW中间金属层连接处且在第一、第二金属通孔列之间，还设置有一对连通顶层金属层、中间金属层、底层金属层的金属通孔，用于调节输入阻抗的匹配。

6.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，金属通孔距离第一金属通孔列1.2mm。

7.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，第一、第二带状线均为长3mm、宽1.5mm。

8.根据权利要求1所述的微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，其特征在于，上、下层介质基板的厚度相同。