[发明专利]n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺有效
| 申请号： | 201610122125.0 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105750557B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | B22F9/04 | 分类号： | B22F9/04;B22F3/105;H01L35/16 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 潘杰;白洪长 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | in sub se 热电 半导体 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于在In6Se7半导体中采用S元素等摩尔替换Se元素，构成三元热电半导体，该三元热电半导体的化学式为In6S0.5Se6.5；其制备工艺是根据化学式In6S0.5Se6.5将In、S、Se三种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为1050～1150℃，合成时间35～45小时，然后将真空石英管内的三元化合物随炉冷却至700～800℃后立即在水中淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨时间10小时，球磨干燥后的粉末经放电等离子烧结制备，烧结温度为500～600℃，烧结压力55～65MPa，烧结时间35～45分钟，制备得到In6S0.5Se6.5热电半导体。
2.根据权利要求1所述的n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于所述In6S0.5Se6.5热电材料的合成温度为1100℃，烧结温度为550℃，烧结压力60MPa，在烧结温度下保温40分钟。
3.根据权利要求1所述的n-型In6Se7基热电半导体的制备工艺，其特征在于将所述三种元素先在高真空手套箱中配料，后直接放置在石英管中用石蜡封口，取出后迅速真空封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610122125.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
