[发明专利]带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 201610110101.3 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105589119A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郭春妍;徐建星;倪海桥;汪韬;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 dbr 赫兹 电导 天线 外延 结构 制备 方法 | ||
1.一种带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：
一半绝缘衬底；
一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；
一DBR结构，其制作在缓冲层上；
一低温层，其制作在DBR结构上。
2.根据权利要求1所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结 构，其中所述半绝缘衬底、缓冲层和低温层的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结 构，其中DBR结构包括一AlGaAs层和制作在其上的GaAs层。
4.根据权利要求3所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结 构，其中DBR结构为周期结构，周期数为2-30。
5.一种带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构的制备方法，包括 如下步骤：
步骤1：取一半绝缘衬底；
步骤2：在半绝缘衬底上生长缓冲层；
步骤3：在缓冲层上生长DBR结构；
步骤4：在DBR结构上生长低温层。
步骤5：退火，完成制备。
6.根据权利要求5所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构的 制备方法，其中所述半绝缘衬底、缓冲层和低温层的材料为GaAs。
7.根据权利要求5所述的一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结 构的制备方法，其中DBR结构包括一AlGaAs层和制作在其上的GaAs层。
8.根据权利要求7所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构的 制备方法，其中DBR结构为周期结构，周期数为2-30。
9.根据权利要求5所述的带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构的 制备方法，其中退火的温度为500-800℃。
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