[发明专利]三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构及方法

权利要求书

1.一种三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述三电平IGCT变流器全开保护下的短路回路包括箝位回路，所述箝位回路通过所述三电平IGCT变流器主电路的中间开关器件和箝位二极管；所述器件均流结构包括在所述箝位回路中设置的母排，通过所述母排增加所述箝位回路的短路阻抗以减少流过所述箝位回路的短路电流，实现所述三电平IGCT变流器主电路中的开关器件在全开保护下的短路电流均等。

2.根据权利要求1所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述母排包括设置在所述三电平IGCT变流器主电路任意两相中性点之间的母排一(1)。

3.根据权利要求2所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述母排还包括设置在所述三电平IGCT变流器主电路任意两相中间开关器件与箝位二极管之间的母排二(2)。

4.根据权利要求3所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：通过所述母排二(2)将所述三电平IGCT变流器主电路中的包括开关器件(V1、V2、V3、V4)的支路、包括续流二极管(D1、D2、D3、D4)的支路，以及包括箝位二极管(D5、D6)的支路连接在一起。

5.根据权利要求2、3或4所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：在所述母排一(1)中开设有线槽，通过增加流过所述母排一(1)的电流路径长度增大所述母排一(1)的电阻。

6.根据权利要求5所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述线槽在母排一(1)中沿电流方向彼此交错地开设，所述线槽将所述母排一(1)分割为往复折返式的母排结构，以构建来回相反的电流路径，使电流流过时母排结构间产生互感，从而抵消由于所述母排一(1)的电流路径长度增大而增加的杂散电感。

7.根据权利要求5所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：通过减小所述母排一(1)的横截面积增大所述母排一(1)的电阻。

8.根据权利要求7所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述线槽在母排一(1)中沿电流方向彼此交错地开设，所述线槽将所述母排一(1)分割为往复折返式的母排结构，以构建来回相反的电流路径，使电流流过时母排结构间产生互感，从而抵消由于所述母排一(1)的电流路径长度增大，以及横截面积减小而增加的杂散电感。

9.根据权利要求2、3、4、6、7或8所述的三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流结构，其特征在于：所述线槽包括自所述母排一(1)端部的一侧沿所述母排一(1)宽度方向开设至靠近该端部另一侧的线槽一(11)，以及自所述线槽一(11)沿所述母排一(1)长度方向开设至所述母排一(1)另一端部的一条以上的线槽二(12)，所述线槽一(11)连通所述线槽二(12)；所述母排一(1)开设有两个所述线槽，两个线槽沿所述母排一(1)长度方向相对交错布置且不相接触，将所述母排一(1)分割为往复折返式的母排结构，通过两个线槽在所述母排一(1)两端的接点(13)之间形成唯一的往复折返式电流路径，在增加所述母排一(1)的电流路径长度的基础上使相邻路径的母排结构在流过电流时产生互感，以减小所述母排一(1)的杂散电感。

10.一种三电平IGCT变流器全开保护下的器件均流方法，其特征在于：所述三电平IGCT变流器全开保护下的短路回路包括箝位回路，所述箝位回路通过所述三电平IGCT变流器主电路的中间开关器件和箝位二极管；所述方法包括在所述箝位回路中设置母排，通过所述母排增加所述箝位回路的短路阻抗以减少流过所述箝位回路的短路电流，实现所述三电平IGCT变流器主电路中的开关器件在全开保护下的短路电流均等。