[发明专利]低压差线性稳压器在审
申请号: | 201610096384.0 | 申请日: | 2016-02-22 |
公开(公告)号: | CN107102665A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 陈盈吉 | 申请(专利权)人: | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 新加坡启汇城*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:
分压电路,用于根据所述低压差线性稳压器的输出电压产生反馈电压;
误差放大器,包括第一输入端和第二输入端,所述第一输入端接收参考电压以及所述第二输入端接收所述反馈电压,所述误差放大器将所述反馈电压和所述参考电压进行比较,并根据比较结果从所述误差放大器的输出端生成驱动电压;
输出晶体管,包括耦接至所述误差放大器的输出端的第一端,以及耦接至所述分压电路并输出所述输出电压的第二端;以及
电流反馈电路,包括输入控制端和电流输出端,所述输入控制端接收所述输出电压,所述电流输出端耦接所述误差放大器的第一输入端,其中所述电流反馈电路响应于所述输出电压的变化产生反馈电流至所述误差放大器的第一输入端。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述电流反馈电路包括第一电流镜电路、第二电流镜电路、第一电容器和第二电容器,
其中,所述第一电流镜电路的控制端通过所述第一电容器耦接至所述电流反馈电路的输入控制端,所述第二电流镜电路的控制端通过所述第二电容器耦接至所述电流反馈电路的输入控制端,
所述第一电流镜电路的输出端和所述第二电流镜电路的输出端共同连接至所述电流反馈电路的电流输出端。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一电流镜电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一电流源,
所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极相连接作为所述第一电流镜电路的控制端,
所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极共同连接第一固定电压,
所述第一晶体管的源极作为所述第一电流镜电路的的输出端,所述 第二晶体管的源极通过所述第一电流源连接至第二固定电压,并且所述第二晶体管的源极和栅极接通。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为P MOS晶体管。
5.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第二电流镜电路包括第三晶体管、第四晶体管和第二电流源,
所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极相连接作为所述第二电流镜电路的控制端,
所述第三晶体管和所述第四晶体管的源极共同连接第二固定电压,
所述第三晶体管的漏极作为所述第二电流镜电路的的输出端,所述第四晶体管的漏极通过所述第二电流源连接至第一固定电压,并且所述第四晶体管的源极和漏极接通。
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第三晶体管和所述第四晶体管为NMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器还包括电压跟随器,所述电压跟随器的输出端耦接所述误差放大器的第一输入端,所述电压跟随器的输入电压与所述低压差线性稳压器处于稳定状态时的反馈电压相等。
8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器还包括耦接于所述误差放大器的输出端与所述输出晶体管的第一端之间的缓冲器。
9.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述误差放大器的正相输入端接收所述参考电压,所述误差放大器的反相输入端接收所述反馈电压。
10.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述输出晶体管为NMOS晶体管,其第一端为所述NMOS晶体管的栅极,第二端为所述NMOS晶体管的源极,第三端为所述NMOS晶体管的漏极;或者
所述输出晶体管为NPN型三极管,其第一端为所述NPN型三极管 的基极,第二端为所述NPN型三极管的发射极,第三端为所述NPN型三极管的集电极。
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