[发明专利]复合频率超声波清洗装置

权利要求书

1.一种复合频率超声波清洗装置，其特征在于，包括：处理器、第一推挽电路至第三推挽电路、第一压电陶瓷片至第三压电陶瓷片；

所述处理器为脉冲宽度调制发生控制芯片，所述处理器分别通过所述第一推挽电路与所述第一压电陶瓷片连接，通过所述第二推挽电路与所述第二压电陶瓷片连接，通过所述第三推挽电路与所述第三压电陶瓷片连接；

所述第一压电陶瓷片用于产生第一频率的超声波，所述第二压电陶瓷片用于产生第二频率的超声波，所述第三压电陶瓷片用于产生第三频率的超声波；

还包括第一反馈电路至第三反馈电路；

所述处理器分别通过所述第一反馈电路与所述第一压电陶瓷片连接，通过所述第二反馈电路与所述第二压电陶瓷片连接，通过所述第三反馈电路与所述第三压电陶瓷片连接；

所述处理器分别根据所述第一反馈电路调整所述第一频率的超声波的功率，根据所述第二反馈电路调整所述第二频率的超声波的功率，根据所述第三反馈电路调整所述第三频率的超声波的功率；

所述第一频率的超声波、所述第二频率的超声波和所述第三频率的超声波相互重合，且所述第二频率的超声波的波峰和所述第三频率的超声波的波峰相异，并位于所述第一频率的超声波的相邻两波峰之间。

2.根据权利要求1所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，还包括整流电路，所述整流电路的输出端分别与所述处理器、所述第一推挽电路、所述第二推挽电路、所述第三推挽电路连接。

3.根据权利要求2所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述第一推挽电路包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一MOS管、第二MOS管和第一变压器；

所述第一图腾柱电路分别连接所述处理器和所述第一MOS管，所述第二图腾柱电路分别连接所述处理器和所述第二MOS管；

所述第一MOS管与所述第一变压器的直流输入端连接，所述第二MOS管与所述第一变压器的另一直流输入端连接，所述第一变压器还与所述第一压电陶瓷片连接。

4.根据权利要求3所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述第一变压器包括两直流输入端、交流输入端和两交流输出端，

所述第一MOS管与一所述直流输入端连接，所述第二MOS管与另一所述直流输入端连接，所述交流输入端用于连接外部交流电，

所述第一压电陶瓷片与两所述交流输出端形成回路。

5.根据权利要求4所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述第一压电陶瓷片与两所述交流输出端之间还串联有第一电感。

6.根据权利要求1所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，还包括本体，所述本体设置有凹槽和安装腔，所述凹槽用于容置液态水，

所述处理器、所述第一推挽电路至所述第三推挽电路、所述第一压电陶瓷片至所述第三压电陶瓷片设置于所述安装腔中。

7.根据权利要求6所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述第一压电陶瓷片、所述第二压电陶瓷片和所述第三压电陶瓷片均匀分布并抵接所述凹槽底部。

8.根据权利要求6所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述本体为一侧开口的中空圆柱体结构。

9.根据权利要求6所述的复合频率超声波清洗装置，其特征在于，所述本体为中空一侧开口的正方体结构。