[发明专利]像素补偿电路和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素补偿电路和显示装置。

背景技术

目前的主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)显示面板，在制造过程中多采用低温多晶硅的工艺制造驱动电路，到目前为止较为流行的低温多晶硅制造工艺是采用准分子激光束退火(Excimer Laser Anneal，简称ELA)的方式完成的，ELA是指将已淀积在玻璃上的a-Si薄膜通过准分子激光束退火转化为p-Si薄膜，即由非晶硅转化为多晶硅，使电子场效应迁移率(电子的移动速度)提高百倍以上。

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)为电流型驱动元件，微小电流的差异将会导致OLED发光亮度的强弱，具体表现就是亮度不均匀。以P-MOS架构构成的AMOLED为例，图1示出现有技术中OLED驱动电路中像素补偿电路的架构示意图，当OLED发光时，流经OLED的电流I_OLED如下述公式进行计算：

I_OLED＝1/2C_oxu W/L(V_GS-Vth)²

其中C_ox为晶体管的单位面积栅氧化层电容，u为晶体管的沟道载流子迁移率，W/L为晶体管的沟道宽长比，V_GS为晶体管栅极和源极间的电压，Vth为驱动晶体管导通的阈值电压。

但是如果采用ELA方式制作低温多晶硅，ELA过程中会有能量控制不均匀的问题，非晶硅成膜不均匀，生成的多晶硅晶粒大小不一致，导致制作而成的器件导通的阈值电压Vth不一致。由上述计算电流I_OLED公式可见，OLED发光电流对驱动晶体管阈值电压Vth比较敏感，如果Vth漂移将会导致OLED电流指数倍地变化，还由于OLED发光电流的大小直接影响其发光亮度，使得AMOLED的发光亮度不均匀而产生显示缺陷。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的为提供一种像素补偿电路和显示装置，以解决现有技术中由于受到阈值电压Vth漂移的影响，AMOLED的发光亮度不均匀而产生显示缺陷的技术问题。

为实现上述目的，在本发明的一些实施例中提供了一种像素补偿电路，包括：

第一开关元件至第五开关元件、存储电容、驱动元件和有机发光二极管，所述第一开关元件至所述第五开关元件以及所述驱动元件均具有控制端、第一端和第二端，所述存储电容具有第一端和第二端；

所述第一开关元件的控制端耦接一第n级栅极驱动信号的输出端，所述第一开关元件的第一端耦接一数据电压的输出端，所述第一开关元件的第二端耦接一第一节点；

所述驱动元件的控制端耦接一第二节点，所述驱动元件的第一端耦接一第一电源电压，所述驱动元件的第二端耦接第三节点；

所述存储电容耦接在所述第一节点和所述第二节点之间；

所述第二开关元件的控制端耦接所述第n级栅极驱动信号的输出端，所述第二开关元件的第一端耦接所述第二节点，所述第二开关元件的第二端耦接所述第三节点；

所述第三开关元件的控制端耦接一使能信号的输出端，所述第三开关元件的第一端耦接所述第一电压，所述第三开关元件的第二端耦接所述第一节点；

所述第四开关元件的控制端耦接所述使能信号的输出端，所述第四开关元件的第一端耦接所述第三节点；

所述有机发光二极管的阳极耦接所述第四开关元件的第二端，所述有机发光二极管的阴极耦接第二电压；

所述第五开关元件的控制端耦接第n-1级栅极驱动信号的输出端，所述第五开关元件的第一端耦接所述第二节点。

在本发明的一实施例中，所述第五开关元件的第二端耦接所述第五开关元件的控制端。

在本发明的另一实施例中，所述第五开关元件的第二端耦接一初始化电压。

在本发明的另一实施例中，所述第一开关元件至第五开关元件分别为第一晶体管至第五晶体管，所述驱动元件为驱动晶体管。

在本发明的另一实施例中，所述第一晶体管至所述第五晶体管以及所述驱动晶体管为PMOS晶体管。

在本发明的另一实施例中，所述第一电压为高电位，所述第二电压为低电位。