[发明专利]一种饱和度可调控的SiO2胶体晶体彩虹膜的制备方法

权利要求书

1.一种饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤：

(1)取平均粒径为340±10nm的SiO₂微球，放入乙醇中搅拌均匀，配 制成1-3wt％SiO₂胶体溶液，超声分散2-4h；

(2)用去离子水清洗基片，分别在去离子水和乙醇中超声清洗30-90min 后烘干备用，将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的SiO₂胶体溶液中，将 其移入干燥箱，干燥时间为24-30h，干燥温度为40-65℃，缓慢烘干得到组 装好的SiO₂胶体晶体膜；

(3)将从烘箱中取出的已经组装好的SiO₂胶体晶体膜放入真空离子喷 涂镀膜机中镀铂金膜，设置镀膜电流为10mA，镀膜时间为50-100s之间，使 得SiO₂胶体晶体膜表面的铂金膜厚度控制在5-25nm之间。

2.根据权利要求1所述饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方 法，其特征在于，所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片。

3.根据权利要求1所述饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方 法，其特征在于，通过定量改变铂金膜的厚度来实现对PS胶体晶体彩虹膜 饱和度的调控。