[发明专利]一种低角度依赖的蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610078139.7 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105695992A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王莉丽;王秀锋;刘派;伍媛婷 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 角度 依赖 蓝色 sio sub 胶体 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低角度依赖的蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤：
(1)取平均粒径为310±10nmSiO2微球，放入乙醇中搅拌均匀，配制 浓度为1-3wt％的SiO2胶体溶液，超声分散2-4h；
(2)用去离子水清洗基片，然后分别在去离子水和乙醇中超声清洗 30-90min后烘干备用，将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的SiO2胶体溶 液中，放入烘箱中24-30h缓慢烘干得到组装好的SiO2胶体晶体膜，烘干温 度为40-65℃；
(3)将从烘箱中取出的SiO2胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜，使SiO2胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm，即可得到单一蓝色SiO2胶体晶体膜。
2.根据权利要求1所述低角度依赖的蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法， 其特征在于，所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片。
3.根据权利要求1所述低角度依赖的蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法， 其特征在于，所述步骤(3)中，通过控制镀膜电流和碳丝的粗细实现对SiO2胶体晶体膜表面的碳膜厚度的控制。
4.根据权利要求1所述低角度依赖的蓝色SiO2胶体晶体膜的制备方法， 其特征在于，所述步骤(3)中，设置镀膜电流为60mA。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610078139.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种埋入式电阻铜箔的制备方法
- 下一篇：单相变极双速双电容异步电动机
- 同类专利
- 专利分类
