[发明专利]一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法

权利要求书

1.一种低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用乳液聚合法制备平均粒径为440±10nm的PS微球母液，以去离子水为溶剂，直接稀释为PS微球浓度为0.1wt-0.5wt％的乳液，置于30-100mL玻璃器皿中超声分散30-60min。

(2)用去离子水清洗基片，分别在乙醇和去离子水中超声清洗30-90min后烘干备用，将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的PS乳液中，放入烘箱中9-12h缓慢烘干得到组装好的PS胶体晶体膜，烘干温度为40℃-65℃；

(3)将从烘箱中取出的PS胶体晶体膜放入蒸镀仪中镀碳膜，使PS胶体晶体膜表面的碳膜厚度为5-10nm；

(4)在已经镀过碳膜的PS胶体晶体膜表面，采用真空离子溅射法在碳膜表面再镀一层厚度为5-10nm的铂金膜，即得低角度依赖高饱和度呈色明亮的单一红色PS胶体晶体膜。

2.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法，其特征在于，所述基片为玻璃基片、金属基片或有机基片。

3.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，通过控制镀膜电流和碳丝的粗细实现对碳膜厚度的控制；所述步骤(4)中，通过控制镀膜电流和时间实现对铂金膜厚度的控制。

4.根据权利要求1所述低角度依赖高饱和度红色PS胶体晶体膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，设置镀膜电流为60mA；所述步骤(4)中，设置镀膜电流为10mA，镀膜时间为50-100s。