[发明专利]基于基片集成波导的微波延迟线

权利要求书

1.一种基于基片集成波导的微波延迟线，其特征在于，包括多个延迟单元(6)，每个延迟单元(6)由基态(9)和延迟态(10)组成，基态(9)和延迟态(10)为两段长度不同的多层基片集成波导传输线，每层基片集成波导传输线包括上层金属面(1)、中间介质板(2)和下层金属面(3)，中间介质板(2)位于上层金属面(1)和下层金属面(3)之间，上层金属面(1)和下层金属面(3)之间设置两排金属柱线列(4)；多层基片集成波导传输线之间相互耦合；所述的基态(9)和延迟态(10)通过开关元件(5)进行切换，多个延迟单元的开关元件(5)之间通过微带线(8)连接，且微带线(8)作为微波延迟线的输入和输出传输线。

2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的微波延迟线，其特征在于，所述开关元件(5)为PIN管、MEMS开关或单刀双掷开关，每个延迟单元(6)包括两个开关元件，分别设置在多层基片集成波导传输线的顶层上表面和底层下表面。

3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的微波延迟线，其特征在于，上下两层基片集成波导传输线之间采用槽耦合或孔耦合。

4.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的微波延迟线，其特征在于，每层基片集成波导传输线的上层金属面(1)和下层金属面(3)外表面之间的距离为0.05mm、0.1mm、0.125mm、0.254mm、0.508mm、0.762mm、1.016mm或1.524mm。

5.根据权利要求1或4所述的基片集成波导延迟线，上层金属面(1)和下层金属面(3)之间的中间介质板(2)的介电常数为2-20。

6.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的微波延迟线，其特征在于，所述金属柱的半径为0.05～0.5mm,每两个金属柱之间的距离为0.1～2mm。