[发明专利]硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201610062344.4 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105664834A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 晏铭;赖萃;曾光明;李小明;陶林暄;张鹏;张海波;王菡;常慧敏;陈晨;杨光 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: B01J20/02 分类号: B01J20/02;B01J20/06;C02F1/28;C02F101/20;C02F101/30
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;黄丽
地址: 410082 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 硅烷偶联剂 修饰 氧化 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料,其特征在于,所述硅烷偶联剂修饰 二氧化钛纳米管阵列材料主要由二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混 合后反应得到。

2.一种硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其特征在于,包括以下 步骤:将二氧化钛纳米管阵列、硅烷偶联剂、有机溶剂和冰醋酸混合,经反应后,得到硅烷偶 联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料。

3.根据权利要求2所述的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其特 征在于,所述硅烷偶联剂的质量占所述硅烷偶联剂与有机溶剂质量之和的0.1%~20%。

4.根据权利要求2或3所述的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其 特征在于,所述有机溶剂为甲苯。

5.根据权利要求2或3所述的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其 特征在于,所述反应的温度为50℃~80℃,所述反应的时间为0.5h~8h。

6.根据权利要求2或3所述的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料的制备方法,其 特征在于,所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH-570。

7.一种如权利要求1所述的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料或权利要求2~6 中任一项所述的制备方法制得的硅烷偶联剂修饰二氧化钛纳米管阵列材料在处理含有机 污染物和/或重金属污染物的废水中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,所述应用包括以下步骤:将硅烷偶联剂修 饰二氧化钛纳米管阵列材料加入含有机污染物和/或重金属污染物的废水中进行光催化反 应,完成对废水的处理。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述光催化反应过程中的pH值为3~6。

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