[发明专利]测试方法和装置在审
申请号: | 201610058793.1 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105741883A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 林寅;吴大畏;李晓强 | 申请(专利权)人: | 深圳市硅格半导体股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国;苏磊 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区科技南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 方法 装置 | ||
1.一种测试方法,其特征在于,所述测试方法包括:
将待测试的闪存映射转换层程序移植到主机;
在主机将测试数据写入所述待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域;
读取写入的所述测试数据作为读出数据;
对比所述测试数据和所述读出数据,根据对比结果,判断所述闪存映射转换层程序是否正确。
2.如权利要求1所述的测试方法,其特征在于,在主机将测试数据写入所述待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域的步骤包括:
根据所述待测试的闪存映射转换层程序,计算得到用于写入所述测试数据的存储区域的物理块地址;
将所述物理块地址重定向到主机的高速存储设备的存储区域的物理地址;
将所述测试数据写入所述高速存储设备的存储区域的物理地址对应区域。
3.如权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述根据对比结果,判断所述闪存映射转换层程序是否正确的步骤包括:
在所述测试数据和所述读出数据的对比结果相同时,判断所述待测试的闪存映射转换层程序正确;
在所述测试数据和所述读出数据的对比结果不同时,判断所述待测试的闪存映射转换层程序错误。
4.如权利要求1所述的测试方法,其特征在于,在对多个不同的闪存映射转换层程序进行测试时,所述将待测试的闪存映射转换层程序移植到主机的步骤包括:
将待测试的多个不同闪存映射转换层程序移植到主机;
所述在主机将测试数据写入所述待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域的步骤还包括:
在主机将测试数据写入所述不同的待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域;
所述读取写入的所述测试数据作为读出数据的步骤包括:
读取写入不同物理地址的所述测试数据作为读出数据。
5.如权利要求1-4中任一项所述的测试方法,其特征在于,所述测试数据存储在主机的可读写本地文件中,或者在所述主机创建可读写本地文件存储所述测试数据;所述测试数据通过主机的系响应机制在激励发送端和所述闪存映射转换层程序之间传输。
6.一种测试装置,其特征在于,所述测试装置包括:
移植模块,用于将待测试的闪存映射转换层程序移植到主机;
写入模块,用于在主机将测试数据写入所述待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域;
读取模块,用于读取写入的所述测试数据作为读出数据;
判断模块,用于对比所述测试数据和所述读出数据,根据对比结果,判断所述闪存映射转换层程序是否正确。
7.如权利要求6所述的测试装置,其特征在于,所述写入模块包括:
计算单元,用于根据所述待测试的闪存映射转换程序,计算得到用于写入所述测试数据的存储区域的物理块地址;
重定向单元,用于将所述物理块地址重定向到主机的高速存储设备的存储区域的物理地址;
写入单元,用于将所述测试数据写入所述高速存储设备的存储区域的物理地址对应区域。
8.如权利要求6所述的测试装置,其特征在于,所述判断模块包括:
对比单元,对比所述测试数据和所述读出数据是否相同;
判断单元,用于在所述测试数据和所述读出数据的对比结果相同时,判断所述待测试的闪存映射转换层程序正确;以及在所述测试数据和所述读出数据的对比结果不同时,判断所述待测试的闪存映射转换层程序错误。
9.如权利要求6所述的测试装置,其特征在于,在对多个不同的闪存映射转换层程序进行测试时,所述移植模块包括:
多程序移植单元,用于将待测试的多个不同闪存映射转换层程序移植到主机;
所述写入模块还包括:
多程序写入单元,用于在主机将测试数据写入所述不同的待测试的闪存映射转换层程序计算得到的物理地址对应的存储区域;
所述读取模块包括:
多程序读取单元,用于读取写入不同物理地址的所述测试数据作为读出数据。
10.如权利要求6-9任一项所述的测试装置,其特征在于,所述测试数据存储在主机的可读写本地文件中,或者在所述主机创建可读写本地文件存储所述测试数据;所述测试数据通过主机的系统响应机制在激励发送端和所述闪存映射转层换程序之间传输。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市硅格半导体股份有限公司,未经深圳市硅格半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610058793.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。