[发明专利]基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑

权利要求书

1.基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+7个钳位二极管，4个辅助电容C₁、C₂、C₃、C₄，4个辅助IGBT模块T₁、T₂、T₃、T₄构成的自均压辅助回路。

2.根据权利1所述的基于等式约束的辅助电容分布式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：A相上下桥臂，单箝位子模块中，二极管连接子模块电容正极，IGBT模块连接子模块电容负极；A相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第2个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与直流母线正极相连；A相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相上桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下经两个桥臂电抗器L₀与A相下桥臂的第1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相上桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与A相下桥臂的第i+1个子模块IGBT模块中点相连，其IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第i-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；A相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向下与直流母线负极相连，其子模块IGBT模块中点向上与A相下桥臂的第N-1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上下桥臂，单箝位子模块中，IGBT模块连接子模块电容正极，二极管连接子模块电容负极；B相上桥臂的第1个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与直流母线正极相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第2个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相上桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相上桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相上桥臂的第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下经两个桥臂电抗器L₀与B相下桥臂的第1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第i个子模块，其中i的取值为2～N-1，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂的第i-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与B相下桥臂的第i+1个子模块二极管与IGBT模块联结点相连；B相下桥臂的第N个子模块，其子模块二极管与IGBT模块联结点向上与B相下桥臂第N-1个子模块IGBT模块中点相连，其子模块IGBT模块中点向下与直流母线负极相连；C相上下桥臂子模块的连接方式可以与A相一致，也可以与B相一致；在A、B、C相上下桥臂第i个子模块上下输出线之间分别并联有机械开关K_{au_i}、K_{al_i}、K_{bu_i}、K_{bl_i}、K_{cu_i}、K_{cl_i}，其中i的取值为1～N；上述连接关系构成的A、B、C三相地位一致，三相轮换对称之后的其他拓扑在权利范围内。