[发明专利]一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法在审
申请号: | 201610030300.3 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN105766571A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 李东安 | 申请(专利权)人: | 李东安 |
主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00;A01G31/06;A01G25/00 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 佛甲草 幼苗 工业化 快速 培育 方法 | ||
技术领域
本发明属于植物栽培技术领域,特别涉及一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法。
背景技术
佛甲草幼苗培育的传统方式为户外培植,占用大量的土地资源,而且受天气影响 因素较大,在台风、暴雨等恶劣天气状况下则不能进行佛甲草培育,阻碍了年产量的提高, 同时也受温度影响,高于30℃或低于15℃都不利于幼苗生长发芽。
发明内容
有鉴于此,本发明提出一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法,解决了现有技术中 佛甲草占用土地资源多,且易受环境影响的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案予以实现:
一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法,包括如下步骤:
(1)在工业培育室的生产间内放置多层培养架,所述培养架上放置培育框,其中,所述 培育框包括水平设置的框底和竖向设置于地面四周的框边,所述框底上设有网孔;
(2)在培育框的框底上铺设种植无纺布;
(3)在种植无纺布上设置肥料层,在肥料层上铺设2-4mm厚的培养基质并在培养基质上 插播佛甲草的截枝幼苗,对佛甲草的截枝直接进行培育;
(4)控制工业培育室内的温度为15-30℃;
(5)对佛甲草幼苗进行雾化式喷灌,湿度控制在60%-80%,培育十五天至二十天待佛甲 草的截枝长出新芽。
进一步地,还包括步骤(6),将装有新芽的培育框移种到屋顶进行移植种植。
作为优选地,所述培育框呈正方形,尺寸为1cm-10cm高,10cm-60cm宽。
作为优选地,所述种植无纺布的设置情况为,在低于-1℃的地区用量为120g;高 于-1℃的地区用量为100g。
作为优选地,有机肥的设置情况为,在低于-1℃的地区肥料厚度为4-6cm;高于-1 ℃的地区肥料厚度为2-3cm。
作为优选地,所述培养基质的厚度为3mm。
作为优选地,所述培育框的框边包括下部的密封区和上部的镂空区,所述镂空区 中部位置设置有手提缺口。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果为:
1.节约了农业用地,使用多层培养架配合培育框节约了90%的培植土地,极大提高了产 量和效率;
2.在工业培育室内大批快速种植不受极端恶劣天气影响,以及可以自由控制培育的温 度、湿度,使培育状况常年维持在适宜状态,提高了产量;
3.采用雾化喷灌的方式,极大减少了用水,节约了培育成本;雾状喷淋使肥料保持湿 润;
4.采用截枝培育,减少50%的苗源,降低成本。
附图说明
图1为本发明优选实施例的培育框的立体结构示意图。
具体实施方式
为让本领域的技术人员更加清晰直观的了解本发明,下面将结合附图,对本发明 作进一步的说明。
一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法,包括如下步骤:
(1)在工业培育室的生产间内放置多层培养架,所述培养架每层放置若干正方形培育 框,如图1所示,其中,培育框尺寸为1cm-10cm高,10cm-60cm宽,培育框包括水平设置的框 底1和竖向设置于地面四周的框边2,框底1上设有网孔3,培育框的框边2包括下部的密封区 21和上部的镂空区22,镂空区22中部位置设置有手提缺口23;
(2)在培育框的框底上铺设种植无纺布;
(3)在种植无纺布上设置肥料层,在肥料层上铺设3mm厚的培养基质并在培养基质上插 播佛甲草的截枝幼苗,对佛甲草的截枝直接进行培育;
(4)控制工业培育室内的温度为15-30℃;
(5)对佛甲草幼苗进行雾化式喷灌,湿度控制在60%-80%,培育十五天至二十天待佛甲 草的截枝长出新芽。
(6)将装有新芽的培育框移种到屋顶进行移植种植。
本实施例中,种植无纺布的设置情况为,在低于-1℃的地区用量为120g;高于-1℃ 的地区用量为100g;有机肥的设置情况为,在低于-1℃的地区肥料厚度为4-6cm;高于-1℃ 的地区肥料厚度为2-3cm。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精 神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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