[发明专利]一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具

权利要求书

1.一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，包括测试盒体(1)、PCB板(2)、压块、直流偏置引出端、射频输入输出引出端，PCB板(2)置于测试盒体内，PCB板(2)包括馈电匹配电路和射频输入输出微带(3)；馈电匹配电路分为栅极馈电匹配电路和漏极馈电匹配电路两部分，栅极馈电匹配电路包括两个扇形线(11)、两个RC滤波网络(12)、栅极偏置电阻(6)、栅极滤波电容(9)，漏极馈电匹配电路包括两个扇形线(11)、两个RC滤波网络(12)、漏极滤波电容(10)；直流偏置引出端由两个穿心电容从馈电匹配电路上引出，一个穿心电容芯子一端焊接在栅极馈电加电端，该穿心电容芯子的另一端通过导线与直流偏置模块A连接，另一个穿心电容芯子一端焊接在漏极馈电加电端，该穿心电容芯子的另一端通过导线与直流偏置模块A连接；射频输入输出引出端为同轴传输转微带传输接头(4)，同轴传输转微带传输接头(4)包括分设于测试盒体(1)两侧的射频输入接头和射频输出接头，射频输入接头与器件栅极通过射频输入微带连接，之间加隔直电容(13)起隔直作用；射频输出接头与器件漏极通过射频输出微带连接，之间加隔直电容(13)起隔直作用；压块有四个引出端，其中两个固定器件源极、一个固定栅极、一个固定漏极。

2.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，所述栅极馈电匹配电路的栅极偏置电阻(6)的设计在考虑工作条件下电阻分压大小的同时，还要综合考虑电阻所耐受额定功率及对电路稳定效果。

3.根据权利要求2所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，栅极馈电匹配电路中的栅极偏置电阻(6)选用4个20欧姆贴片电阻并联。

4.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，所述馈电匹配电路中的RC滤波网络(12)使用51Ω贴片电阻和1000pF贴片电容串联接地结构。

5.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，利用ADS软件对馈电匹配电路进行隔离度参数仿真，根据隔离度结果得到两个扇形短路线最优尺寸，栅极馈电匹配电路中的两个扇形短路线尺寸参照漏极馈电匹配电路。

6.根据权利要求5所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，根据隔离度结果确定的扇形线(11)扇形半径为0.508mm，弧所对圆心角度数为120°。

7.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，直流偏置引出端选择1500pF穿心电容固定于穿心电容固定安装孔(8)处，使穿心电容一端与PCB板(2)上直流偏置连接压点(7)焊接，穿心电容的另一端焊接合适长度的导线与直流偏置模块A连接，其中穿心电容额定电压值需大于漏极工作电压。

8.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，射频输入输出微带(3)上的隔直电容(13)选用1000pF贴片电容。

9.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，栅极滤波电容(9)选用1000pF容值电容，漏极滤波电容(10)由3个6800pF贴片电容并联组成。

10.根据权利要求1所述的一种用于超大功率GaN微波器件高隔离度微波测试夹具，其特征在于，还包括散热片，测试夹具固定在散热片上，并用风扇辅助待测器件降温。