[发明专利]麦克风模拟集成电路

说明书

本发明提供了一种麦克风模拟集成电路，包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第一电流源I1、第二电流源I2、提供电信号的输入端VIN以及输出电信号的输出端VOUT；输入端VIN与第一晶体管M1的栅极连接，输入端VIN还与第二晶体管M2的栅极连接；第一晶体管M1的漏极通过第一电流源I1连接至电源电压VDD；第一晶体管M1的源极以及体端均与第二晶体管M2的漏极连接；第二晶体管M2的源极以及体端均与输出端VOUT连接，以输出电信号；第二晶体管M2的源极还通过第二电流源I2实现接地；第三晶体管M3的源极及体端均连接至电源电压VDD，栅极与第一晶体管M1的漏极连接，其漏极与输出端VOUT连接。

【技术领域】

本发明涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风模拟集成电路。

【背景技术】

现有技术中的麦克风模拟集成电路，如图1所示，该麦克风模拟集成电路包括第二晶体管M2、第三晶体管M3、第一电流源I1、第二电流源I2、提供输入信号的输入端VIN以及输出电信号的输出端VOUT。输入端VIN还与第二晶体管M2的栅极连接向第二晶体管M2输出电信号。第二晶体管M2的漏极通过第一电流源I1连接至电源电压VDD；第二晶体管M2的源极以及体端均与输出端VOUT连接，以输出电信号。同时，第二晶体管M2的源极通过第二电流源I2实现接地,电流源I1、I2为第二晶体管M2以及第三晶体管M3提供工作电流。第三晶体管M3的源极及体端均连接至电源电压VDD，其栅极与第二晶体管M2的漏极连接，其漏极与输出端VOUT连接。第二晶体管M2均为N-型场效应晶体管；第三晶体管M3为P-型场效应晶体管。在现有技术中，电源噪音(Vnoise,VDD)通过第三晶体管M3栅极-源极的耦合效应从而将电源噪音耦合至第三晶体管M3的栅极电压Vo1(Vnoise,Vo1≈Vnoise,VDD),并且电源噪音通过第二晶体管M2耦合至输出端VOUT,其电源抑制比(Power-supply rejection ratio，PSRR)

Vnoise,Vout/Vnoise,VDD≈R1/(R1+R2)

其中R1为输出端VOUT(不包含第二晶体管M2)的有效阻抗，R2为从第二晶体管M2漏极的信号路径的等效阻抗。在现有技术中，R2＝r02，r02为第二晶体管M2的阻抗，因此，现有的麦克风模拟集成电路具有的电源抑制比(Power-supply rejection ratio，PSRR)值较低。

因此，有必要提供一种新型的麦克风模拟集成电路。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种新型的麦克风模拟集成电路，其具有较高的PSRR值。

本发明的技术方案如下：一种麦克风模拟集成电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电流源、第二电流源、提供电信号的输入端以及输出电信号的输出端；

输入端分别与第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极连接以提供电信号；第一晶体管的漏极通过第一电流源连接至电源电压；第一晶体管的源极以及体端均与第二晶体管的漏极连接；

第二晶体管的源极以及体端均与输出端连接，以输出电信号；第二晶体管的源极还通过第二电流源实现接地；

第三晶体管的源极及体端均连接至电源电压，第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接，第三晶体管的漏极与输出端连接。

上述的麦克风模拟集成电路中，所述第一晶体管和第二晶体管均为N-型场效应晶体管。

上述的麦克风模拟集成电路中，所述第三晶体管为P-型场效应晶体管。

上述的麦克风模拟集成电路还包括频率补偿单元，用于补偿输入端VIN提供的电信号在信号路径上损失的频率。