[其他]静电放电保护设备有效
| 申请号： | 201590000744.1 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN206302053U | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 鹫见高弘;足立淳;筑泽孝之;安中雄海;中村纯代;铃木万结 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01T4/10 | 分类号： | H01T4/10;H01T4/02;H01T4/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 设备 | ||
1.一种静电放电保护设备，含有：
绝缘性基材；
放电电极，其是以与所述绝缘性基材接触的方式配置的第1和第2放电电极，所述第1和第2放电电极彼此对置且分隔地配置；
外部电极，其是设置于所述绝缘性基材的外表面的第1和第2外部电极，所述第1外部电极与所述第1放电电极电连接，所述第2外部电极与所述第2放电电极电连接；以及
放电辅助电极，其在所述第1和第2放电电极彼此对置的区域中横跨所述第1放电电极和所述第2放电电极而存在，
所述放电辅助电极至少含有半导体粒子和金属粒子，
所述金属粒子的平均粒径为0.3～1.5μm，
所述放电辅助电极的任意截面中的所述金属粒子的存在密度为20个/50μm2以上，
所述半导体粒子在其表面具有含氧层。
2.如权利要求1所述的静电放电保护设备，其中，所述绝缘性基材为陶瓷基材。
3.如权利要求1所述的静电放电保护设备，其中，所述绝缘性基材为树脂基材。
4.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述含氧层的平均厚度为10～150nm。
5.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述半导体粒子为SiC粒子。
6.如权利要求5所述的静电放电保护设备，其中，所述含氧层含有SiO2。
7.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述金属粒子为Cu粒子。
8.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述放电辅助电极进一步含有绝缘性粒子。
9.如权利要求8所述的静电放电保护设备，其中，所述绝缘性粒子为Al2O3粒子。
10.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述第1和第2放电电极彼此对置的区域中的放电电极间距离为10～50μm。
11.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述第1和第2放电电极配置于所述绝缘性基材的内部，该第1和第2放电电极在设置于所述绝缘性基材的内部的空穴部内彼此对置且分隔地配置。
12.如权利要求1～3中任一项所述的静电放电保护设备，其中，所述第1和第2放电电极配置于所述绝缘性基材的外表面。
13.如权利要求11所述的静电放电保护设备，其中，所述空穴部含有稀有气体。
14.如权利要求13所述的静电放电保护设备，其中，所述稀有气体为Ar。
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