[发明专利]基于电力状态的巡查刷洗时段

说明书

背景技术

计算机通常使用存储装置(有时被称为存储器模块)存储数据。存储装置可包括易失性存储装置和非易失性存储装置，诸如只读存储器(ROM)或随机存取存储器(RAM)。

附图说明

图1和2是描绘用于巡查刷洗(patrol scrubbing)存储器模块的示例性系统的方框图。

图3是描绘示例性移动计算装置的方框图。

图4描绘用于实现用于巡查刷洗存储器模块的示例性系统的示例性操作。

图5和6是描绘用于巡查刷洗存储器模块的示例性方法的流程图。

具体实施方式

在下面的描述和附图中，描述用于巡查刷洗存储器模块的设备、系统和/或方法的一些示例性实现方式。使用RAM(诸如，动态RAM(DRAM))的系统可能经历由RAM内的内部数据损坏导致的错误值。例如，DRAM管芯内的存储电容器可能失去它们的电荷并且使位改变状态。另一示例是：杂散α粒子可能使DRAM管芯内的位自发地改变状态。错误校正码(ECC)存储器是允许检测和校正存储器内的错误的一种类型的计算机可读存储介质。ECC存储器可通常利用用于ECC数据的另外的存储位置。

ECC DRAM模块可通常包括专用于ECC操作(诸如，错误检测、错误跟踪和刷洗)的额外存储器芯片。ECC模块上的按需刷洗是由ECC校正感知存储器控制器执行的按需读操作，其中所述存储器控制器检测错误并且将经校正的数据写回到所述模块中。按需读操作通常由处理器资源发起。具有专用ECC存储器芯片的ECC存储器模块上的巡查刷洗可包括校正感知存储器控制器防止ECC模块中的坏位积累的示例性方法。例如，存储器控制器可顺序地读取每个可寻址位置，并且如果存储器控制器检测到错误，则存储器控制器将经校正的数据写回到ECC模块中。一个特定种类的ECC存储器模块是管芯上ECC存储器模块。管芯上ECC存储器模块可不包括专用于ECC操作的额外存储器芯片；并且管芯上ECC存储器模块可不附接到校正感知存储器控制器。例如，实现为具有管芯上ECC的存储器模块上的每个管芯可具有如下能力：在按需读操作的传送期间校正64位数据字符组中的单个坏位。在管芯上ECC示例中，存储器模块可能不具有将经校正的数据写回到存储位置的能力。另外，在管芯上ECC示例中，存储器控制器可以是校正透明存储器控制器。如这里所使用的，校正透明存储器控制器是不知道存储器模块从包含坏数据的位置传送经校正的数据的控制器。例如，校正透明存储器控制器不将经校正的数据写回到管芯上ECC模块上。在未经检查的情况下，这可能例如导致坏数据位的积累，坏数据位可能最终组合从而引起例如灾难性系统错误。为了防止这一点，附接到具有管芯上ECC的存储器模块的校正透明存储器控制器可向每个存储器位置发出刷洗命令(例如，执行如这里所讨论的巡查刷洗例程)。当管芯上ECC模块检测到刷洗命令时，该模块可在内部(例如，在没有来自存储器控制器的帮助的情况下在存储器模块上)读取被寻址的数据，检查错误，校正错误，并且将经校正的数据写回到例如原始位置。

ECC存储器模块通常能够允许按需刷洗和/或巡查刷洗。如这里所使用的，巡查刷洗包括在一时间段(在这里被称为巡查刷洗时段)上刷洗存储器模块的可寻址位置的操作。通常，巡查刷洗的目的是在巡查刷洗时段内访问安装的存储器模块的每个可寻址位置以发现错误。巡查刷洗可以是连续操作，或者另一方面可以例如利用计算资源。巡查刷洗可对例如存储器吞吐量和功耗具有负面影响。一些计算机系统基于电池，或者另一方面，利用能量存储装置为计算机系统供电。在使用能量存储装置(例如，在这里讨论为对能量存储装置进行放电)时发生的操作期间，电力可例如是减少的计算资源，并且后台操作(诸如，巡查刷洗操作)可能以所不希望的速率消耗该资源。

以下描述的各种示例涉及基于能量存储装置的电荷水平以可编程方式进行巡查刷洗时段。通过计及能量存储装置的电力状态，所述系统和/或移动计算装置可例如在由巡查刷洗例程引起的功耗方面是自适应的。

如这里所使用的，术语“包括”、“具有”及其变型与术语“包含”或其合适的变型的含义相同。另外，如这里所使用的，术语“基于”表示“至少部分地基于”。因此，描述为基于某种激励的特征可仅基于所述激励或包括所述激励的激励的组合。另外，如这里所使用的，术语“维持”(及其变型)表示“创建、删除、添加、去除、访问、更新和/或修改”。