[发明专利]半导体X射线检测器

权利要求书

1.一种适合检测X射线的装置，其包括：

X射线吸收层，其包括电极；

第一电压比较器，其配置成将所述电极的电压与第一阈值比较；

第二电压比较器，其配置成将所述电压与第二阈值比较；

计数器，其配置成记录所述X射线吸收层所吸收的X射线光子的数目；

控制器；

其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第一阈值的绝对值的时间启动时间延迟；

其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；

其中所述控制器配置成如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第二阈值的绝对值则促使所述计数器记录的数目增加一。

2.如权利要求1所述的装置，其进一步包括电连接到所述电极的电容器模组，其中所述电容器模组配置成从所述电极收集载流子。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成在所述时间延迟的开始或终止时启动所述第二电压比较器。

4.如权利要求1所述的装置，其进一步包括电压表，其中所述控制器配置成促使所述电压表在所述时间延迟终止时测量电压。

5.如权利要求4所述的装置，其中所述控制器配置成基于在所述时间延迟终止时测量的电压的值来确定X射线光子能量。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成使所述电极连接到电接地。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为零。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述电压的变化率在所述时间延迟终止时大致为非零。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述X射线吸收层包括二极管。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述X射线吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述装置不包括闪烁体。

12.如权利要求1所述的装置，其中所述装置包括像素阵列。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成在所述时间延迟开始时停用所述第一电压比较器。

14.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器配置成在所述时间延迟终止时或在所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超出所述第二阈值的绝对值时或在中间的时间停用所述第二电压比较器。

15.一种检测X射线的系统，其包括如权利要求1所述的装置以及X射线源，其中所述系统组态成对人的胸部或腹部进行X射线放射摄影。

16.一种检测X射线的系统，其包括如权利要求1所述的装置以及X射线源，其中所述系统组态成对人的口腔进行X射线放射摄影。

17.一种货物扫描或非侵入式检查(N I I)系统，其包括如权利要求1所述的装置以及X射线源，其中所述货物扫描或非侵入式检查(N I I)系统组态成使用背散射X射线来形成图像。

18.一种货物扫描或非侵入式检查(N I I)系统，其包括如权利要求1所述的装置以及X射线源，其中所述货物扫描或非侵入式检查(N I I)系统组态成使用透射通过所检查物体的X射线来形成图像。

19.一种全身扫描器系统，其包括如权利要求1所述的装置以及X射线源。