[发明专利]电源装置有效
申请号: | 201580075736.8 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN107210672B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 牧野宁;大和田健太 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M7/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 装置 | ||
1.一种电源装置,具备:
电阻器,对从交流电源供给的电流进行限制;
开关部,与所述电阻器并联地连接;
整流电路部,连接于所述电阻器以及所述开关部的后级,对所述交流电源的交流电压进行整流;
升压电路部,进行由所述整流电路部整流的直流电压的升压;
直流电压检测部,检测从所述升压电路部输出的直流电压;
交流电压检测部,检测所述交流电源的交流电压;
保护设定部,根据所述升压电路部的升压电平计算第1保护电压,根据由所述交流电压检测部检测出的所述交流电压计算第2保护电压,进行所述第1保护电压与所述第2保护电压的比较,在“所述第1保护电压≥所述第2保护电压”的情况下,将所述第1保护电压设定为保护电压,在“所述第1保护电压<所述第2保护电压”的情况下,将所述第2保护电压设定为保护电压;以及
控制部,在由所述直流电压检测部检测出的所述直流电压低于由所述保护设定部设定的所述保护电压的情况下,使所述开关部开路,使由所述升压电路部进行的升压停止。
2.根据权利要求1所述的电源装置,其中,
在所述控制部使所述升压电路部的升压停止的情况下,所述保护设定部将所述第2保护电压设定为所述保护电压。
3.根据权利要求1所述的电源装置,其中,
在所述升压电路部的动作停止的情况下,所述保护设定部将所述第2保护电压设定为所述保护电压。
4.根据权利要求1所述的电源装置,其中,
所述保护设定部计算所述第2保护电压,以使得所述第2保护电压在对于构成所述升压电路部的半导体元件的冲击电流的界限值以内。
5.根据权利要求1所述的电源装置,其中,
所述保护设定部在由所述升压电路部进行的升压开始并经过作为所述直流电压过渡的期间的第1过渡期间之后,将所述保护电压的设定从所述第2保护电压变更为所述第1保护电压。
6.根据权利要求1所述的电源装置,其中,
当在所述交流电源的交流电压的供给刚刚停止之后所述直流电压低于所述保护电压的情况下,所述保护设定部将所述保护电压不变更而保持,在所述交流电源的交流电压的供给开始并经过作为所述直流电压过渡的期间的第2过渡期间之后,将所述保护电压的设定从所述第1保护电压变更为所述第2保护电压。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的电源装置,其中,
所述保护设定部将所述保护电压设定为不低于所设定的下限值。
8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的电源装置,其特征在于,
构成所述升压电路部的半导体元件为宽带隙半导体。
9.根据权利要求8所述的电源装置,其特征在于,
所述宽带隙半导体为SiC、GaN或者金刚石。
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