[发明专利]校准CVD或PVD反应器的高温计装置的方法

权利要求书

1.一种校准高温计装置(11、12)的方法，该高温计装置用于测量搁置在CVD或PVD反应器(1)的基座(6)上的基板(9)的表面温度，其中该高温计装置具有第一高温计(11)，其在带宽小于20nm的窄谱范围内具有灵敏性，并且经出厂预校准或在预校准步骤中经预校准；至少一个第二高温计(12、12')，其在带宽大于100nm的第二宽带光谱范围内具有灵敏性，其中在第一步骤中校准第一高温计(11)，在第二步骤中将基座(6)或校准元件(17)调温至校准温度或依次调温至多个不同的校准温度(T_l、T₂、T₃、T₄)，用第一高温计(11)分别测量所述校准温度，并将所述校准温度用作参考点(S₁、S₂、S₃、S₄)以测定第二高温计(12)的特性曲线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一高温计(11)的带宽小于10nm，并且第二高温计的带宽大于200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在第三宽带光谱范围内具有灵敏性的第三高温计(12')，该第三高温计在第二步骤中与第二高温计(12)一起被校准，并且与第二高温计(12)形成具有不同光谱范围的商数高温计。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用布置在CVD或PVD反应器内部的基座(6)或校准元件(17)发射的热辐射来校准第一高温计(11)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，借助具有已知的发射率温度相关性的发光校准工具(16)进行第一高温计(11)的校准。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，借助经调温的参照物体或光源进行第一高温计(11)的校准。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，两个或三个高温计(11、12、12')在校准时评估同一测量点(15)发射的光的强度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一高温计(11)和第二高温计(12)对准同一测量位置，并且至少在部分距离上使用同一光路。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从测量点(15)到第一高温计(11)以及到第二高温计(12)或第三高温计(12')的光路(13)穿过进气机构(2)的布置在该进气机构(2)的正面上的排气口(3)并且穿过该进气机构(2)的背面上的窗口(5)。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别在另外的温度(T_l、T₂、T₃、T₄)下测定三个或更多个的参考点(S₁、S₂、S₄)。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在200℃和1300℃之间的温度范围内，分别在另外的温度(T_l、T₂、T₃、T₄)下测定三个或更多个的参考点(S₁、S₂、S₄)。

12.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，参照物体或校准元件(17)为仅用于校准的基座，由陶瓷材料、石墨或半导体材料构成的板，所述板代替基板布置在基座(6)上。

13.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在对基座(6)或校准元件(17)进行调温时，校准另外的高温计装置的第二或第三高温计(12、12')，所述另外的高温计装置分别评估从彼此不同的测量位置发射的光的强度。