[发明专利]用于减少和提纯电子气体以及从烃流中除去汞的多孔聚合物

权利要求书

1.一种系统，所述系统包含：

容器，其填充有金属有机骨架MOF，所述金属有机骨架包含多个金属簇与连接邻近金属簇的多种多齿有机配位体的配位产物，每一金属簇包含一或多种金属离子，所述金属选自铜、锆、锰、锌或其混合物，所述有机配位体中的至少一种通过前驱体定义，所述前驱体选自苯三甲酸、对苯二甲酸、二羟基对苯二甲酸和其组合，所述MOF的特征在于其可吸附电子气体以除去或减少含有电子气体的流出物中的电子气体；

半导体制造设备；以及

导管，所述导管将所述容器与所述半导体制造设备的输出连接；其中所述MOF经配置以接收来自连接所述容器与所述半导体制造设备的所述输出的所述导管的所述含有电子气体的流出物，并且以除去或减少来自从所述半导体制造设备提供的所述含有电子气体的流出物的所述电子气体；其中所述半导体制造设备包括化学气相沉积设备、原子层沉积设备或离子植入设备中的至少一种，并且其中所述电子气体选自胂、磷化氢、二硼烷、二硅烷、锗烷、硅烷、四氟化锗、三氟化硼和其组合。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOF经由氧化、还原、水解、或形成配位键中的至少一种的反应机制与电子气体反应。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOF囊封对所述电子气体具反应性的化学物质。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述化学物质选自由碱性物质、酸性物质、水解物质、氧化剂、还原剂和其组合组成的群组。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述碱性物质选自金属氢氧化物、金属碳酸盐和其组合。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述金属选自由锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、钇、锆、钒、铬、锰、铁、钴、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、镉、汞、铝、铟、铊、铅、铋和其组合组成的群组。

7.根据权利要求4所述的系统，其中所述氧化剂是包含选自由锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、镉、汞、铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋和其组合组成的群组的一或多种金属的金属氧化物。

8.根据权利要求4所述的系统，其中所述水解物质选自由水、氟化氢、氯化氢、溴化氢和其组合组成的群组。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOF包含具有明轮几何结构的至少一个金属簇，所述至少一个金属簇含有具有自由配位位点的至少一个Cu²⁺金属离子且所述有机配位体中的至少一种用前驱体对称苯三甲酸制成。

10.根据权利要求1所述的系统，其中在650托和25℃下测量，所述MOF对于胂具有每克MOF至少0.35克胂且每克MOF至多2克胂的重量捕捉能力。

11.根据权利要求1所述的系统，其中在650托和25℃下测量，所述MOF对于三氟化硼具有每克MOF至少0.2克三氟化硼且每克MOF至多2克三氟化硼的重量捕捉能力。

12.根据权利要求1所述的系统，其中在650托和25℃下测量，MOF对于四氟化锗具有每克MOF至少0.1克四氟化锗且每克MOF至多2克四氟化锗的重量捕捉能力。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOF能够在高温下、在减压下或在其组合下释放吸收的电子气体。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOF对于电子气体的捕捉能力在高温下、在减压下或在其组合下至少部分再生。