[发明专利]无线电子装置有效
申请号: | 201580073087.8 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN107210517B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 应志农;赵堃 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01Q1/24 | 分类号: | H01Q1/24;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q5/371;H01Q5/378;H01Q9/04;H01Q9/42;H01Q21/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;师玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 无线 电子 装置 具有 陷波 双频 天线 | ||
无线电子装置。一种无线电子装置包括倒F型天线(IFA),该IFA具有IFA激励部件、IFA馈线以及接地引脚。所述IFA激励部件被设置成在被经由IFA馈线接收到的信号激励时按照两个不同的谐振频率谐振。该无线电子装置包括高频带陷波器,该高频带陷波器具有基于IFA激励部件的第一谐振频率限定的长度。所述高频带陷波器经由接地引脚电耦接至IFA激励部件。接地贴片电耦接在高频带陷波器与接地面之间。该无线电子装置包括低频带陷波器,该低频带陷波器具有基于IFA激励部件的第二谐振频率限定的长度。所述低频带陷波器经由接地贴片电耦接至接地面。
技术领域
本发明构思总体上涉及无线通信领域,并且更具体地,涉及用于无线通信装置的天线。
背景技术
诸如蜂窝电话和其它用户设备的无线通信装置可以包括可被用于与外部装置通信的天线。这些天线可以在通信装置附近产生不同类型的辐射图案。然而,一些天线设计可以助长不希望量的地电流和不规则的辐射图案。
发明内容
本发明构思的各种实施方式包括具有倒F型天线(IFA)的无线电子装置。该IFA可以包括IFA激励部件、IFA馈线以及接地引脚。所述IFA激励部件可以被设置成在被经由所述IFA馈线接收到的信号激励时,按第一谐振频率和不同于该第一谐振频率的第二谐振频率两者谐振。所述无线电子装置可以包括高频带陷波器,该高频带陷波器具有基于所述IFA激励部件的所述第一谐振频率限定的长度。所述高频带陷波器可以经由所述接地引脚电耦接至所述IFA激励部件。接地贴片可以电耦接在所述高频带陷波器与接地面之间。该无线电子装置可以包括低频带陷波器,该低频带陷波器具有基于所述IFA激励部件的第二谐振频率限定的长度,其中,所述低频带陷波器经由所述接地贴片电耦接至所述接地面。
根据各种实施方式,所述高频带陷波器的长度可以对应于所述IFA激励部件的所述第一谐振频率的大约0.5倍波长。所述低频带陷波器的长度可以对应于所述IFA激励部件的所述第二谐振频率的大约0.5倍波长。所述IFA馈线可以按所述IFA的所述第一谐振频率的大约0.25倍波长,位于所述高频带陷波器的中心附近。所述接地贴片可以在所述高频带陷波器的中心附近电连接至所述高频带陷波器。在各种实施方式中,所述IFA馈线在印刷电路板(PCB)层上的宽度可以基于所述PCB层的厚度来选择,使得所述IFA与所述IFA激励部件阻抗匹配。
在一些实施方式中,所述IFA可以被设置成感应所述高频带陷波器上的电流和/或所述低频带陷波器上的电流,使得所述无线电子装置的辐射图案形成偶极天线图案。所述接地贴片的长度可以处于0.1倍波长至0.2倍波长之间。所述接地贴片的长度可以处于所述第一谐振频率的0.1倍波长至0.2倍波长之间,或者所述第二谐振频率的0.1倍波长至0.2倍波长之间。所述接地贴片的长度可以确定所述高频带陷波器的带宽。所述接地引脚可以导电并且可以与所述IFA激励部件阻抗匹配。
在一些实施方式中,所述IFA馈线可以包括电连接至所述接地面的共面波导。所述共面波导包括导体轨迹、处于所述导体轨迹的第一侧上的第一返回轨迹以及处于所述导体轨迹的第二侧上的、与所述第一返回轨迹相对的第二返回轨迹。所述第一返回轨迹和所述第二返回轨迹可以与所述导体轨迹电隔离。
在一些实施方式中,所述IFA可以包括第一IFA。一个或更多个附加IFA,皆包括附加IFA馈线以及附加IFA激励部件,所述附加IFA激励部件被设置成在被经由所述附加IFA馈线接收到的信号激励时按所述第一谐振频率和所述第二谐振频率两者谐振。所述附加IFA皆可以包括附加接地引脚,经由所述附加接地引脚电耦接至所述附加IFA的附加高频带陷波器。经由所述附加接地贴片电耦接至所述接地面的附加低频带陷波器被包括在所述无线电子装置的每一个附加IFA中。所述第一IFA和所述一个或更多个附加IFA可以沿着所述无线电子装置的边缘延伸。
根据各种实施方式,所述高频带陷波器中的相邻高频带陷波器之间的间距可以处于所述第一谐振频率的0.25倍波长至0.5倍波长之间。所述低频带陷波器中的相邻低频带陷波器之间的间距可以处于所述第二谐振频率的0.25倍波长至0.5倍波长之间。
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