[发明专利]用于负载开关的输出放电技术

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

输入电压引线；

输出电压引线；

传输晶体管，所述传输晶体管耦接在所述输入电压引线和所述输出电压引线之间；以及

输出电压放电电路，所述输出放电电路包括：

电源输入；

控制输入；

耦接在所述输出电压引线和接地引线之间的第一晶体管，所述第一晶体管具有控制电极所述第一晶体管形成用于所述输出电压引线的放电路径；

具有耦接到所述电源输入的阳极的第一二极管；

耦接在所述二极管的阴极和所述接地引线之间的第一电容器；

耦接在所述二极管的所述阴极和所述第一晶体管的所述控制电极之间的电阻器；以及

耦接在所述第一晶体管的所述控制电极和所述接地引线之间的第二晶体管，所述第二晶体管具有耦接到所述输出放电电路的所述控制输入的控制电极；开关启用引线；以及

控制电路，所述控制电路包括：

电源输入；

耦接在所述传输晶体管的栅电极和所述输出放电电路的所述控制输入之间的第三晶体管，所述第三晶体管具有控制电极；

耦接在所述输出放电电路的所述控制输入和所述接地引线之间的第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管形成用于所述传输晶体管的栅电极的放电路径；

具有耦接到所述开关启用引线的输入、耦接到所述第四晶体管的控制电极的输出，以及耦接到所述第三晶体管的所述控制电极的电源轨的缓冲器；

耦接在所述第三晶体管的所述控制电极和所述接地引线之间的第二电容器；以及

具有耦接到所述控制电路的所述电源输入的阳极，以及耦接到所述第三晶体管的所述控制电极且耦接到所述缓冲器的所述电源轨的阴极的第二二极管。

2.一种集成电路，包括：

输入电压引线；

输出电压引线；

传输晶体管，所述传输晶体管耦接在所述输入电压引线和所述输出电压引线之间；以及

耦接在所述输出电压引线和接地引线之间的输出放电电路，所述输出放电电路包括：电源输入；具有耦接到所述电源输入的阳极的二极管；以及耦接在所述二极管的阴极和所述接地引线之间的电容器；控制输入；耦接在所述输出电压引线和所述接地引线之间的开关，所述开关具有耦接到所述二极管的所述阴极的控制电极；以及缓冲器，所述缓冲器具有耦接到所述输出放电电路的所述控制输入的输入、耦接到所述开关的所述控制电极的输出，以及耦接到所述二极管的所述阴极的电源轨。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述缓冲器是反相器。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述反相器是n-型金属氧化物半导体反相器即NMOS反相器。

5.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述缓冲器是非反相缓冲器。

6.根据权利要求2所述的集成电路，另外包括：

控制电路，所述控制电路耦接在所述传输晶体管的栅电极和所述输出放电电路的所述控制输入之间。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述电容器是第一电容器，所述二极管是第一二极管，并且所述控制电路包括：

基准电压输入；

晶体管，所述晶体管耦接在所述传输晶体管的所述栅电极和所述输出放电电路的所述控制输入之间，所述晶体管具有控制电极；

第二电容器，所述第二电容器耦接在所述晶体管的所述控制电极和所述接地引线之间；以及

第二二极管，所述第二二极管具有耦接到所述基准电压输入的阳极，以及耦接到所述晶体管的所述控制电极的阴极。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述基准电压输入耦接到所述输入电压引线。