[发明专利]用于制造机电设备的方法及对应设备

权利要求书

1.一种制造机电设备的方法，所述机电设备包括悬空在预定深度的凹陷部(4)上方的预定厚度的至少一个微机械结构(60,61)，其特征在于所述方法包括：

-将第一衬底(1)的第一表面(11)密封到第二衬底(2)，所述第一衬底仅由固体层(10)形成，所述第二衬底(2)由至少一个固体层(20)和绝缘层(21)形成，所述第二衬底(2)的所述绝缘层(21)插置在所述第一衬底(1)与所述第二衬底(2)的所述固体层(20)之间；

-通过蚀刻与所述第一表面(11)相对的所述第一衬底(1)的第二表面(12)，而在所述第一衬底(1)中形成具有所述预定厚度的所述凹陷部(4)，面向所述所形成的凹陷部(4)的所述第一衬底(1)的其余部分的厚度基本上等于所述预定厚度；

-通过将所述第一衬底(1)的所述第二表面(12)密封到第三衬底(3)来封闭所述凹陷部(4)，所述第三衬底由固体层(30)及与所述第一衬底(1)的所述第二表面(12)直接接触的绝缘层(31)形成；

-去除所述第二衬底(2)的所述固体层(20)和所述绝缘层(21)；以及

-对所述第一衬底(1)的所述第二表面(12)执行单次蚀刻，以开启所述凹陷部(4)并形成所述微机械结构(60,61)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其还包括在将所述第一衬底(1)密封到所述第二衬底(2)之前，在所述第一衬底(1)的所述第一表面(11)上形成对准标记(13)。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于其还包括在形成所述凹陷部之前，在所述第一衬底(1)的所述第二表面(12)上暴露对准标记(13)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其特征在于其还包括在形成所述凹陷部(4)之前，减薄所述第一衬底(1)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于其还包括在形成所述凹陷部(4)的同时，形成从所述第一衬底(1)朝所述第三衬底(3)延伸的至少一个阻挡件(5)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征

在于其还包括在将所述第一衬底(1)与所述第二衬底(2)密封之前，在所述第一衬底(1)的所述第一表面(11)上形成预定厚度的至少一个凹坑(14)，所述凹坑的底部覆盖有电介质层；

并且在于所述凹陷部(4)的形成还包括形成将所述凹陷部(4)连接到所述凹坑(14)的通孔(16)。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于所述第二衬底由绝缘层(21)形成，所述绝缘层插置在固体层(20)与比固体层(20)要薄的层(22)之间，并且其特征在于所述第一衬底(1)的所述第一表面(11)被布置成与所述第二衬底(2)的所述薄层(22)直接接触。

8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于为开启所述凹陷部(4)并形成所述微机械结构(60,61)而执行所述单次蚀刻还包括在所述第二衬底(2)的所述薄层22)中形成纳米机械结构(7)，所述纳米机械结构(7)面向所述通孔(16)。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的制造方法，其特征在于其还包括对所述第二衬底的所述薄层(22)进行掺杂。

10.一种根据权利要求1至9中任一项所述的制造方法形成的机电设备，其特征在于其包括：

-由插置在两个固体层(10,30)之间的绝缘层(31)形成的层叠件，

-悬空在预定深度的凹陷部(4)上方的预定厚度的微机械结构(60,61)，所述凹陷部(4)和所述微机械结构(60,61)形成所述层叠件的所述两个固体层(10,30)之一(10)，并且所述绝缘层(31)形成所述凹陷部(4)的底部。

11.根据权利要求10所述的机电设备，其特征在于其还包括所述凹陷部内部的至少一个阻挡件(5)，所述阻挡件(5)从所述微机械结构朝所述绝缘层(31)延伸。

12.根据权利要求10或11中任一项所述的机电设备，其特征：

在于包括所述微机械结构的所述固体层(10)插置在所述绝缘层(31)与比所述固体层(10)要薄的层(22)之间，

并且在于其还包括形成于所述薄层(22)中的纳米机械结构(7)以及将所述纳米机械结构(7)连接到所述凹陷部(4)的通孔(16)。