[发明专利]用于磁共振成像的铁磁增强系统及提供该系统的方法

权利要求书

1.一种在低场MRI系统中使用的磁系统，所述磁系统包括：

B₀磁体，其被配置成生成有助于所述低场MRI系统的B₀场的磁场，所述B₀磁体包括至少一个永磁体以用于产生有助于所述B₀场的磁场；以及

至少一个铁磁部件，其被配置为捕捉并引导由所述B₀磁体产生的至少一些磁场，以增加磁共振成像系统的成像区域内的磁通密度，

其中，所述B₀磁体和所述至少一个铁磁部件被配置为生成强度小于或等于0.2T的B₀场。

2.根据权利要求1所述的磁系统，其中，所述B₀磁体包括至少一个电磁体，其被配置成在操作时生成有助于所述低场MRI系统的B₀场的磁场。

3.根据权利要求1所述的磁系统，其中，所生成的B₀场小于或等于0.1T。

4.根据权利要求1所述的磁系统，其中，所生成的B₀场小于或等于20mT。

5.根据权利要求2所述的磁系统，其中，所述至少一个电磁体包括成对的B₀线圈，所述成对的B₀线圈包括以双平面构造布置的第一B₀线圈和第二B₀线圈，并且其中，所述至少一个铁磁部件被配置成在所述第一B₀线圈和所述第二B₀线圈之间的成像区域中增加B₀场的场强。

6.根据权利要求5所述的磁系统，其中，所述至少一个铁磁部件包括连接至所述第一B₀线圈和所述第二B₀线圈以形成磁路的铁磁结构，所述磁路通过所述铁磁结构为由所述第一B₀线圈和所述第二B₀线圈生成的磁通量提供至少一个返回路径。

7.根据权利要求5所述的磁系统，其中，所述至少一个铁磁部件包括至少一个铁磁结构，所述铁磁结构沿着所述铁磁结构的至少一侧为磁通量提供至少一个返回路径。

8.根据权利要求7所述的磁系统，其中，所述铁磁结构沿着所述铁磁结构的侧面为磁通量提供多个返回路径。

9.根据权利要求7所述的磁系统，其中，所述铁磁结构包括C形铁磁结构，所述C形铁磁结构沿着所述铁磁结构的仅一侧为磁通量提供返回路径。

10.根据权利要求7所述的磁系统，其中，所述铁磁结构包括至少一个斜角，以减小围绕所述至少一个斜角的磁阻。

11.根据权利要求7所述的磁系统，其中，所述铁磁结构包括多个铁磁柱，其被配置成为磁通量提供所述至少一个返回路径。

12.根据权利要求11所述的磁系统，其中，所述多个铁磁柱中的至少一个能够从所述磁共振成像系统移除。

13.根据权利要求6所述的磁系统，其中，所述至少一个铁磁部件还包括位于所述第一B₀线圈和/或所述第二B₀线圈附近以改变所述磁通量离开所述铁磁结构的位置的至少一个第一铁磁部件。

14.根据权利要求13所述的磁系统，其中，所述铁磁结构包括第一铁磁材料，并且其中，位于所述第一B₀线圈和/或所述第二B₀线圈附近的至少一个第一铁磁部件包括不同于所述第一铁磁材料的第二铁磁材料。