[发明专利]183纳米激光器及检验系统在审

专利信息
申请号: 201580053715.6 申请日: 2015-10-02
公开(公告)号: CN106852181A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 勇-霍·亚历克斯·庄;J·约瑟夫·阿姆斯特朗;弗拉基米尔·德里宾斯基;邓宇俊;约翰·费尔登 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01S3/00 分类号: H01S3/00;H01S3/067;G02F2/00;G02F2/02;G02F1/355;G03F1/84;G01N21/95;G01N21/956
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 183 纳米 激光器 检验 系统
【权利要求书】:

1.一种用于产生具有在大约180nm与大约185nm的范围内的输出波长的激光器输出光的激光器组合件,所述激光器组合件包括:

基频激光器,其经配置以产生具有基频频率的基频光;

光学参数系统OPS,其耦合到所述基频激光器使得所述OPS接收所述基频光的第一部分,且所述OPS经配置以产生具有小于所述基频频率的经下变频频率的经下变频信号;

五次谐波产生器,其耦合到所述基频激光器使得所述五次谐波产生器接收所述基频光的第二部分,且所述五次谐波产生器经配置以产生具有等于所述基频频率的五倍的五次谐波频率的五次谐波光;及

混频模块,其经光学耦合以接收来自所述OPS的所述经下变频信号及来自所述五次谐波产生器的所述五次谐波光,且经配置以通过混合所述经下变频信号与所述五次谐波光而产生所述激光器输出光,

其中所述OPS包括:

经下变频种子信号产生器,其经配置以产生具有所述经下变频频率及第一功率级的经下变频种子信号;及

光学参数放大器OPA,其经配置使得所述经下变频种子信号与所述基频光的一部分通过穿过非线性晶体一次而混合,其中所述非线性晶体经配置使得所述混合产生处于大于所述第一功率级的十倍的第二功率级的所述经下变频信号,且

其中所述OPS经配置使得所述经下变频频率与所述五次谐波频率的和产生在大约180nm与大约185nm的所述范围内的所述激光器输出光。

2.根据权利要求1所述的激光器组合件,其中所述基频激光器经配置以产生处于具有等于大约1064nm、大约1053nm、大约1047nm及大约1030nm中的一者的对应波长的所述基频频率的所述基频光。

3.根据权利要求1所述的激光器组合件,其中所述五次谐波产生器及所述混频模块中的至少一者包括经退火CLBO晶体、经氘处理CLBO晶体及经氢处理CLBO晶体中的一者。

经退火的经氢处理硼酸铯锂CLBO晶体。

4.根据权利要求1所述的激光器组合件,其中所述OPA包括:

光束组合器,其经配置以组合所述基频光的所述第一部分与所述经下变频种子信号;

非线性晶体,其经配置以接收所述经下变频种子信号并通过对所述基频光的所述第一部分的受激下变频而放大所述经下变频种子信号;及

光束分裂器,其经配置以分离所述经下变频信号与从所述非线性晶体接收的其它频率,且将所述经下变频信号引导到所述混频模块。

5.根据权利要求4所述的激光器组合件,其中所述经下变频种子信号产生器经配置以产生处于在1mW到500mW的范围内的所述第一功率级的所述经下变频种子信号,且其中所述OPA经配置以产生处于在1W到20W的范围内的所述第二功率级的所述经下变频信号。

6.根据权利要求4所述的激光器组合件,其中光束组合器进一步经配置以反射第一波长同时透射第二波长,使得所述基频光部分与所述经下变频种子信号基本上共线地被发射穿过所述非线性晶体。

7.根据权利要求6所述的激光器组合件,其中所述非线性晶体包括以下各项中的一者:周期性极化铌酸锂PPLN、周期性极化经氧化镁掺杂铌酸锂、周期性极化化学计量比钽酸锂PPSLT、周期性极化经氧化镁掺杂化学计量比钽酸锂及周期性极化磷酸钛氧钾PPKTP。

8.根据权利要求1所述的激光器组合件,其中所述OPS的所述经下变频种子信号产生器包括二极管激光器。

9.根据权利要求1所述的激光器组合件,

其中所述OPS进一步包括经配置以将所述基频光的所述第一部分分裂成第一子部分及第二子部分的光束分裂器,

其中所述经下变频种子信号产生器包括经配置以通过转换所述第一子部分而产生所述经下变频种子信号的光学参数振荡器OPO;且

其中所述OPA经配置以混合所述经下变频种子信号与所述第二子部分。

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