[发明专利]工程周期性结构内纳米颗粒和纳米线的热辅助自组装方法

权利要求书

1.一种用于在热稳定基板的表面上模板化纳米颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有结构化模板表面或层的热稳定基板；

在牺牲树脂中施加单分散性纳米颗粒的涂层，所述涂层具有基本上贴合所述结构化模板表面或层的第一表面和与所述第一表面相背对的第二表面；以及

烘除所述牺牲树脂以在所述结构化模板表面或层上制备所述纳米颗粒的模板化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤包括提供玻璃、石英或蓝宝石基板作为所述热稳定基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤包括提供晶体支撑晶片或支撑晶片上的半导体材料作为所述热稳定基板。

4.一种用于将纳米颗粒转印到热稳定受体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括载体基板的转印膜，所述载体基板在牺牲树脂中具有单分散性纳米颗粒；

在与所述基板相对的一侧上的所述牺牲树脂上赋予结构，以在所述牺牲树脂上制备结构化表面；

将回填层施加到所述转印膜，所述回填层具有基本上贴合所述结构化表面的第一表面和与所述第一表面相背对的第二表面；

将带有所述回填层的所述转印膜层合到热稳定受体基板，其中所述回填层的所述第二表面施加到所述热稳定受体基板，并在所述层合之后去除所述载体基板；以及

烘除所述牺牲树脂以在所述回填层的所述第一表面上制备所述纳米颗粒的模板化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到玻璃、石英或蓝宝石基板。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到晶体支撑晶片或支撑晶片上的半导体材料。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述烘除步骤包括以足以产生所述纳米颗粒的胶态外延生长并且在所述回填层的所述第一表面上制备纳米颗粒的模板化多层的速率烘除所述牺牲树脂。

8.一种用于将维度各向异性的纳米材料转印到热稳定受体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包括第一牺牲基板、第二牺牲基板以及在所述第一基板与第二基板之间的维度各向异性的纳米材料制剂的转印膜；

在热处理下单向拉伸所述转印膜；

将所述转印膜层合到热稳定受体基板；以及

烘除所述第一牺牲基板和第二牺牲基板，以在所述热稳定受体基板上由所述维度各向异性的纳米材料制剂制备对准的维度各向异性的纳米材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述维度各向异性的纳米材料为纳米线或纳米管。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到玻璃、石英或蓝宝石基板。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到晶体支撑晶片或支撑晶片上的半导体材料。

12.一种用于将维度各向异性的纳米材料转印到热稳定受体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

提供包含牺牲材料和维度各向异性的纳米材料的转印膜；

在热处理下单向拉伸所述转印膜；

将所述转印膜层合到热稳定受体基板；以及

烘除所述牺牲材料以在所述热稳定受体基板上制备对准的维度各向异性的纳米材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述维度各向异性的纳米材料为纳米线或纳米管。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到玻璃、石英或蓝宝石基板。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述层合步骤包括将所述转印膜层合到晶体支撑晶片或支撑晶片上的半导体材料。