[发明专利]镧系元素和锕系元素电化学

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

不考虑氧化态，在溶剂系统中在至少一个工作电极电化学氧化和/或还原至少一种镧系元素、至少一种锕系元素或其组合，

其中所述溶剂系统包含一种或多种具有至少3的介电常数的有机溶剂，且溶剂系统的水小于25%重量；

其中所述溶剂系统还包含至少一种电解质；

其中所述至少一个工作电极包括至少一个电子导电电极基材和在所述基材上布置的至少一个离子导电或离子渗透膜；

其中存在不同于离子导电或离子渗透膜的至少一种配位体作为所述镧系元素、所述锕系元素、所述电解质或其组合的一部分，其中所述配位体促进氧化和/或还原所述镧系元素、锕系元素或其组合；并且

其中所述配位体和所述离子导电或离子渗透膜在结构和/或功能上类似。

2.权利要求1的方法，其中不在有利促进反应的磁场影响下进行电化学氧化和/或还原。

3.权利要求1或2的方法，其中电化学氧化和/或还原步骤对镧系元素而非锕系元素进行。

4.权利要求1或2的方法，其中电化学氧化和/或还原步骤对镧系元素和锕系元素的混合物进行。

5.权利要求1或2的方法，其中电化学氧化和/或还原步骤对至少两种不同镧系元素的混合物进行。

6.权利要求1或2的方法，其中不考虑氧化态，所述镧系元素为Ln、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu。

7.权利要求1或2的方法，其中不考虑氧化态，所述镧系元素为Pr、Sm、Gd、Dy或Yb。

8.权利要求1或2的方法，其中所述溶剂具有至少5的介电常数。

9.权利要求1或2的方法，其中所述溶剂为乙腈。

10.权利要求1或2的方法，其中所述配位体为氟磺酸根阴离子。

11.权利要求1或2的方法，其中所述配位体为三氟甲磺酸根(triflate)。

12.权利要求1或2的方法，其中所述膜包括至少一种聚合物。

13.权利要求1或2的方法，其中所述膜包括至少一种离子导电聚合物。

14.权利要求1或2的方法，其中所述膜包括至少一种氟磺酸盐聚合物。

15.权利要求1或2的方法，其中所述膜包括至少一种氟磺酸盐聚合物，且所述配位体为氟磺酸根阴离子。

16.权利要求1或2的方法，其中所述膜不经磁性改性。

17.权利要求1或2的方法，其中所述工作电极经磁性改性。

18.权利要求1或2的方法，其中所述膜经磁性改性。

19.权利要求1或2的方法，其中所述膜用磁性颗粒磁性改性。