[实用新型]一种基于同轴线的高功率功分器

说明书

技术领域

本实用新型属于功分器技术领域，尤其是涉及一种基于同轴线的高功率功分器。

背景技术

通常，涉及功率合成的器件被称为合成器，涉及功率分配的器件被称为功分器。由 于功率合成器与功率分配器属于互易结构，相同的电路反过来被视为功分器或合成器， 其设计取决于输入、输出端口的命名。在平衡功率放大器中需要用3dB正交耦合器作为 功分器、合成器。3dB正交耦合器可以使用分支线耦合器或具有90°移相的Wilkinson 功分器实现，但这些方法加工时时均要求较高的工艺精度，不容易实现。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于同轴线的高功率功分器，其结构简单、制作方便、 可以用于高功率射频信号的分路或者合成，具有成本低、频带宽、稳定性高的优点。

本实用新型的技术方案是：一种基于同轴线的高功率功分器，包括第一同轴线R₁Ω、 第二同轴线R₂Ω、第一输入端口RF1、第二输出端口RF2、第三输出端口RF3、第一微 带线TL1、第二微带线TL2、第三微带线TL3、第四微带线TL4、第五微带线TL5和第 六微带线TL6，所述第一同轴线R₁Ω包括第一内导体R₁₁Ω和第一外导体R₁₂Ω，所述第 一内导体R₁₁Ω通过第二微带线TL2与第二输出端口RF2连接，所述第二同轴线R₂Ω包 括第二内导体R₂₁Ω和第二外导体R₂₂Ω，所述第一外导体R₁₂Ω的1脚通过第一微带线 TL1与第一输入端口RF1连接，所述第一外导体R₁₂Ω的2脚通过第五微带线TL5与电 感L1的1脚连接，电感L1的2脚通过第六微带线TL6与第二外导体R₂₂Ω的1脚连接， 第二外导体R₂₂Ω的2脚通过第三微带线TL3与第三输出端口RF3连接，所述第二内导 体R₂₁Ω的2脚通过第四微带线TL4和电阻R1接地，所述第一内导体R₁₁Ω的2脚和第 二内导体R₂₁Ω的1脚之间连接有第三内导体R₃₁Ω。

进一步，所述第一内导体R₁₁Ω、第二内导体R₂₁Ω和第三内导体R₃₁Ω为一体结构的 铜导体。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，针对超短波频率范 围内的射频信号，该功分器两路插损为3.2-3.7dB，相位差为85°-95°，两个输出端口 间的隔离度大于20dB。该基于同轴线的高功率功分器具有制作简单、成本低、频带宽、 功率容量大等特点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做详细说明。